日本記憶體晶片大廠鎧俠（KIOXIA）宣布，其第 10 代 BiCS FLASH 3D NAND 快閃記憶體技術（以下簡稱 BiCS10）已開始向客戶交付樣品。首款送樣的晶片為 1Tb（Terabit）三層單元（TLC）顆粒，由位於日本岩手縣的北上工廠第二期（Fab2）負責生產，並預計於 2027 年實現全面量產。

這項發表雖然看似是半導體製程的常規升級，但若深入剖析，背後卻隱藏著鎧俠在競爭對手盲目追求「層數競賽」時，一次極具戰略眼光的商務算盤，同時也預示著整個快閃記憶體產業，在人工智慧（AI）需求爆發下的結構性變局。

拒絕盲目堆疊 追求成本與可靠性的黃金三角

在當前的 3D NAND 快閃記憶體市場中，競爭對手如三星與 SK 海力士大張旗鼓地朝向 400 層以上的技術節點推進，試圖在數字上壓制對手。然而，鎧俠此次卻反其道而行，策略性地選擇將第 10 代產品定格在「332 層」。

這並非技術落後的妥協，而是鎧俠經過縝密商業計算後的主動選擇。

鎧俠記憶體事業部總經理井上敦對此指出，當晶片層數堆疊超過 400 層，讀寫時被激活的存儲層數量將急劇增加，導致系統功耗飆升。

此外，過度堆疊往往意味著必須將每個存儲單元層做得更薄，這會嚴重削弱電荷保持能力，進而損害晶片的長期可靠性。

相較於 400 層以上的激進設計，鎧俠的 332 層架構展現了驚人的「商用性」。數據顯示，332 層的設計能夠讓單 GB 成本降低約 10%，功耗效率提升約 10%，而儲存單元的可靠性更大幅高出約 35%。

在雲端運算和資料中心業者對營運成本錙銖必較的當下，鎧俠顯然看穿了硬體規格戰的盲區，選擇將成本、功耗與可靠性這三大關鍵變數，揉合成一個最具市場競爭力的最佳解，以實用主義直接切入客戶最核心的痛點。

技術底牌不變 構築接口速度與能效的護城河

支撐 BiCS10 性能躍升的底層邏輯，並非僅靠層數的增加，而是得益於兩項自第 8 代技術便開始沿用且不斷優化的核心製程：CMOS 直接鍵結陣列技術（CBA）以及節距選通汲極（OPS）技術。

CBA 技術將負責控制邏輯的 CMOS 晶圓與負責儲存數據的單元陣列晶圓分開製造，讓兩者皆能在最優化的製程條件下完成，最後再透過高精準度的晶圓對晶圓鍵合技術拼合在一起。

這種分而治之的創新作法，讓鎧俠在第 8 代產品就實現了 3.6Gb/s 的介面速度，而在第 10 代 BiCS10 中，更進一步將傳輸速率推升至 4.8Gb/s，較上一代大幅提升了 33%。

透過 CBA 技術的持續迭代，鎧俠在快閃記憶體介面速度這項指標上，對競爭對手的領先窗口期已被拉長到大約一年。

當整個 NAND 業界在過去幾年將目光鎖定在層數堆疊時，鎧俠卻默默將資源向「介面速度與高能效」傾斜，等同於用另一套更有利於資料中心實際應用的指標體系來重新定義產業領先。

對於企業級固態硬碟（SSD）而言，決定其實際運算表現的關鍵往往是介面頻寬與功耗曲線，這恰恰是鎧俠手握的核心王牌。

擺脫手機依賴 瞄準 AI 算力「內存牆」的客群重構

鎧俠此次對於 BiCS10 的市場定位異常清晰，直指企業級和資料中心 SSD，全面服務 AI 儲存需求。這項佈局背後的真實算盤，其實是鎧俠為了優化自身抗風險能力而主動進行的客戶結構再平衡。

隨著智慧型手機市場的成長動能進入高原期，鎧俠正設法降低對智慧型手機業務的過度依賴，其中甚至包括減少對重要客戶蘋果公司的供貨比例。

相較之下，AI 資料中心對儲存容量、高頻寬與極致能源效率的需求曲線正呈現爆發式增長，將主力資源轉移到毛利更高、成長空間更大的 AI 儲存戰場，顯然是更符合股東利益的明智抉擇。

在戰術執行上，鎧俠維持著靈活的「雙軸戰略」。一方面，第 9 代技術以相對較低的投資成本主打高性能表現，用以覆蓋成本敏感型的成熟市場客戶；另一方面，第 10 代 BiCS10 技術則透過精細的 332 層堆疊，提供超大容量與頂級性能，主攻效能優先的頂級企業級市場。

這種並行推進的產品線規劃，讓鎧俠能夠精準地在市場中劃分客戶，避免用單一產品勉強覆蓋所有市場的尷尬局面，從而極大化商業收益。

產能供不應求 供需結構下的持久戰準備

BiCS10 的發表並非孤立的技術突破，而是伴隨著整個儲存產業集體加碼的緊張節奏。

就在同一週內，鎧俠的聯合研發與製造夥伴 SanDisk 也同步宣布了其 BiCS10 1Tb TLC 晶片的送樣。雙方雖然從不同角度包裝同一顆晶片——閃迪強調高密度與速度對數據密集場景的價值，鎧俠則鎖定企業級 SSD——但兩者的聯手無疑鞏固了該技術平台的市場份額。

與此同時，競爭對手 SK 海力士也宣布在忠清北道清州投資重金，其中高達 80 兆韓元將專門投向新的 NAND 產線，這直接證明了全球大廠在 AI 驅動下，對未來儲存市場的爭奪已進入白熱化階段。

面對來勢洶洶的對手，鎧俠並未自亂陣腳。據內部透露，其 2026 年的 NAND 和 SSD 產能目前已處於售罄狀態。

這意味著，即使 BiCS10 現在開始送樣，從客戶進行樣品評估到真正實現放量供貨，中間的產能瓶頸可能需要更長的時間消化。

為此，鎧俠已規劃在 2029 年前將橫濱和北上兩大基地的產能翻倍，這也顯示出管理階層對於未來幾年市場供需持續吃緊的深刻判斷。

對下游企業級客戶與伺服器採購商而言，這次的送樣公告更像是一份極具份量的「預約通知單」，督促客戶必須儘早參與技術佈局。

層數競賽分叉 誰將贏得資料中心最終選擇？

綜觀此次發布，最值得產業觀察家反覆咀嚼的，在於這場長達十年的「層數競賽」可能正在走向分叉。

過去 NAND 快閃記憶體的技術敘事極其單一：層數越多代表技術越強、密度越高代表成本越低。然而，鎧俠利用 332 層這個看似「非產業最高層數」的產品，公開向這套行之有年的普適法則發出挑戰。

如果鎧俠的市場洞察是正確的，也就是層數在跨越 300 層的門檻後，技術收益將開始遞減，而隨之而來的功耗與良率風險將大幅攀升，那麼在未來兩到三年內，NAND 產業將迎來明顯的路線分裂。

一派廠商將繼續衝刺 400 層以上，試圖刷新物理密度紀錄；而另一派則會追隨鎧俠的腳步，在層數上做減法，將珍貴的工程研發資源轉向優化介面速度與功耗。這場路線之爭，最終將由資料中心客戶的採購訂單給出答案。

隨著 BiCS10 樣品正式進入評估階段，未來的觀察重點將在於其實測的持續寫入壽命與 IOPS 表現，以及是否有超大規模雲端服務商（Hyperscaler）宣布首波導入，屆時，鎧俠的精明算盤是否能化為具體的財務回報，也將水落石出。