南韓三星電子預計在下周一 (29 日) 於南韓總統府舉行的「韓國大飛躍三大超級項目國民報告會」上宣布，將在未來 10 年在南韓本土尖端產業投資計畫，總規模超過 1000 兆韓元 (約 6475 億美元)，相當於南韓 2025 年名目 GDP(約 1.87 兆美元) 的三成以上，創該國企業史上單筆投資最高紀錄。

上述投資藍圖由三星電子牽頭，聯合三星 SDI、三星顯示等集團子公司共同推進，涵蓋半導體、AI 資料中心、次世代顯示面板及儲能電池等核心領域。

半導體為重中之重。三星擬投入約 300 兆韓元於光州及全羅南道新建多座晶圓廠，配合政府打造全國第二大半導體產業集群。

以單座先進晶圓廠約 60 兆韓元造價估算，300 兆韓元可興建四至五座先進製程工廠，規模可與現有平澤基地匹敵。

AI 投資方面，三星將於忠清南道持續擴充算力叢集，依託 HBM 優勢對接全球 AI 基礎建設需求，SDI 則加碼新一代動力與儲能電池產線，三星顯示持續投資下一世代 QD-OLED 及 Micro LED 技術研發與產能。

作為全球最大 DRAM 與 NAND flash 供應商，三星正面臨 SK 海力士 HBM 領先優勢及台積電先進製程代工競爭壓力。

財報數據顯示，三星電子 2025 年營業利潤 43.6 兆韓元，機構預估今年可上看 55 兆韓元，2026 至 2028 年半導體榮景期間累計營業利潤有望突破 150 兆韓元，未來 10 年千兆級資本支出具財務可行性。

過去，三星電子曾數度宣布大規模投資，此次規模、涵蓋範圍與戰略定位均創新高。除鞏固技術領先地位外，亦響應南韓政府推動產業設施從首都圈向外擴散、促進區域均衡發展政策，SK 海力士亦在審視於湖南及忠清地區興建半導體集群，投資規模傳高達 400 兆韓元。