韓媒最新報導指出，三星電子正加速推進下一代高頻寬記憶體布局，在 HBM4 今年正式進入量產的同時，已將目光投向更遠一代產品，打算將 HBM5 基片工藝從 4 奈米提升至 2 奈米，並以 1d DRAM 作為 HBM5E 的核心堆疊記憶體。這一戰略部署顯示三星在 AI 記憶體市場的強勢擴張意圖，對高端 DRAM 供應格局及下游 AI 加速器供應鏈具有深遠影響。

綜合《韓聯社》、《ETNews》與《SEDaily》報導、三星記憶體開發負責人、副總裁 Hwang Sang-jun 在輝達 GTC 大會上披露了詳細規劃。他明確表示，HBM5 的基片將採用三星晶圓代工的 2 奈米製程，較 HBM4 及 HBM4E 所用的 4 奈米製程實現跨代升級，以滿足下一代 AI 工作負載對記憶體性能的更高要求。此舉雖讓成本上升，但為達成 HBM 的目標性能，引入先進製程已成為不可避免的技術路徑。

產能目標方面，Hwang Sang-jun 透露，三星今年擬讓 HBM4 在全部 HBM 出貨中的佔比超過 50%，同時整體 HBM 產量較去年提升逾三倍。HBM4 今年才正式進入量產階段，這一積極目標顯示三星正全力擴充產能來匹配 AI 晶片市場對高頻寬記憶體持續攀升的需求。若此計畫落實，將對全球高端 DRAM 市場供應格局產生實質影響。

在 HBM5E 層面，技術藍圖更為前瞻。據披露，該產品將以 1d DRAM 作為核心堆疊存儲，相較於 HBM4 及 HBM4E 所採用的 1c DRAM 再度升級。目前 1d DRAM 仍處於三星內部研發階段，但知情人士透露已取得較好的性能表現與測試良率，顯示出向量產推進的積極信號。

除記憶體業務外，三星正通過代工 Groq 3 推理晶片擴展在 AI 加速器產業鏈中的定位。Groq 3 正在三星平澤園區生產，量產目標定於今年第三季底至第四季初，當前訂單量已超出預期。

Groq3 裸片面積超過 700 平方毫米，每片晶圓僅可切出約 64 顆晶片，遠低於通常的 400 至 600 顆。該晶片約 70% 至 80% 的面積由 SRAM 構成，可在片上完成快速推理運算，無需依賴外部 HBM。

市場分析指出，三星代工 Groq 3 LPU 晶片被視為其成為下一代 AI 加速器全棧平台核心合作伙伴的重要標誌。在三星晶圓代工部門進入輝達供應鏈之後，三星的角色已從單純的記憶體供應商，延伸至 LPU 製造領域，與輝達生態系統的合作深度進一步擴展，此舉意味著三星正從零件供應商朝著全棧式 AI 解決方案提供者轉型。

這一戰略轉型恰逢 AI 計算需求爆發的關鍵時期。隨著大模型和生成式 AI 應用快速普及，對 HBM 和專用推理晶片的需求呈現指數級增長。三星通過記憶體技術迭代與代工業務擴張的雙輪驅動，正在構建從記憶體到計算的完整 AI 硬體生態體系。

觀察人士認為，三星的佈局反映了半導體產業垂直整合的趨勢。通過將先進內存技術與晶圓代工能力相結合，三星有望在 AI 晶片市場獲得更強的話語權。

不過，這一戰略也面臨諸多挑戰，包括技術研發的高投入、產能擴張的執行風險，以及日益激烈的市場競爭。

隨著 HBM4 量產爬坡和 HBM5 技術開發同步推進，三星在高階 AI 記憶體領域的領先優勢有望進一步擴大，而透過代工業務切入 AI 推理晶片市場，則為其打開了新的增長空間。該公司的轉型成效將對全球半導體產業格局產生深遠影響。