隨著全球人工智慧（AI）基礎設施的建設進入爆發期，記憶體與儲存市場正迎來結構性短缺與報價強勁上漲的「超級循環」。NAND 方面，供應商預警短缺將延續至明年底之後，企業級固態硬碟（eSSD）的重要性因應 AI 數據處理需求而急劇提升。

主要 NAND 供應商已證實市場供需失衡的態勢。SanDisk 首席執行官 David Goeckeler 在最新財報中預測，明年將是數據中心 NAND 需求首次超越移動領域的一年，且供不應求的趨勢將持續到明年底之後。

其他大廠也抱持類似觀點。三星電子表示，即使考慮到明年生產能力的擴張，客戶需求仍將顯著超過供應，導致供需之間存在明顯缺口。SK 海力士更透露，其明年的 NAND 產能已經「全部售罄」，並指出一些供應商正在尋求簽署長期供應合約，顯示市場對未來供應的擔憂。

供需緊張直接反映在產品價格上。據統計，用於記憶卡和 U 盤的 128Gb MLC NAND 快閃記憶體固定交易價格在 9 月和 10 月持續上漲，創下十年來的最大漲幅。為應對市場變化，三星電子和 SanDisk 近期已決定將 NAND 供應價格提高 10%。

為了應對未來 AI 對更高容量和頻寬的需求，下一代儲存技術「HBF」（High Bandwidth Flash）也備受關注。該產品旨在透過類似高頻寬記憶體（HBM）的堆疊方式，利用 NAND 的特性解決 HBM 的容量限制問題。SK 海力士與閃迪已開始共同開發 HBF，並計劃於 2027 年開始投入生產。

在 DRAM 方面，集邦諮詢（TrendForce）的最新調查顯示，受全球資料中心擴張的強勁推動，2025 年第四季伺服器 DRAM 的合約價格展望已被大幅上調，預計增長幅度將從早先預測的 8-13% 提高至 18-23%，並仍有進一步上調的可能。

展望 2026 年，全球伺服器出貨量預計將以每年約 4% 的速度穩定成長。同時，雲端服務商（CSP）正迅速升級到高性能運算（HPC）平台以支援海量 AI 模型，這將推動整體 DRAM 需求超出先前預期，並可能延長結構性供應短缺的持續時間。