被譽為「高頻寬記憶體 (HBM) 之父」的南韓科學技術院教授金正浩最新表示，AI 時代的權力平衡正從 GPU 轉向記憶體，他的判斷正隨著高頻寬快閃記憶體 (HBF) 的技術突破，加速照進了現實。

金正浩近日在 YouTube 節目中拋出上述震驚業界的觀點，HBF 是結合 3D NAND Flash 高密度與 HBM 特性的創新儲存技術，其核心架構類似 HBM 的 8-16 層垂直堆疊設計，但以 NAND Flash 替代 DRAM，透過矽通孔 (TSV) 與微凸點技術連接各層，將邏輯晶片與記憶體陣列鍵合，支持並行訪問多個 NAND 子陣列，大幅提升帶寬與吞吐量。簡言之，HBM 是「速度擔當」，擅長 AI 訓練等即時性任務，HBF 則是「容量王者」，專為 AI 推理設計，能完整記憶體百億、千億參數大模型。

這一技術直擊當前 AI 推理的核心痛點：GPU 有 60%-70% 時間處於等待記憶體狀態；1.8T 參數大語言模型 (LLM) 無法完整裝入傳統 HBM，需頻繁從硬碟加載，嚴重拖慢速度。

實測數據顯示，運行 LLaMA 3.1(405B 參數) 時，HBF 性能僅比理想 HBM 方案低 2.2%；單 GPU 搭載 8 個 HBF 堆疊可提供 4TB 儲存空間，是純 HBM 方案的 20 倍以上，真正實現「單卡即推理」。

應用場景上，HBF 可支持超長上下文窗口的 LLM 推理、多模態 AI 處理圖像視頻等大容量數據，還能應用於邊緣 AI(如自動駕駛、智能終端) 及 AI 訓練中的檢查點存儲，大幅縮短模型恢復時間。

產業布局已加速鋪開。SanDisk 今年 8 月與 SK 海力士簽署 MoU，共同制定 HBF 技術規範，預計 2026 下半年推出首批樣品，2027 年初搭載 HBF 的 AI 推理設備上市。SK 海力士已在 2025 年 OCP 峰會推出含 HBF 技術的「AIN 系列」產品。三星電子則已啟動自主 HBF 早期概念設計，瞄準資料中心需求，鎧俠已開發出 5TB 容量、64GB/s 的 HBF 原型，美光科技等巨頭亦密切關注。

金正浩在節目上進一步闡述，HBF 將與 HBM 形成「容量 + 速度」黃金組合。他預言，2027-2028 年 HBF 將迎商業化爆發期，並可能引發產業格局重塑。輝達可能收購 SanDisk、美光等記憶體廠商，以掌控 HBF 核心技術，擺脫對韓廠的依賴。

更長遠看，HBF 將推動 AI 儲存四層架構成型：SRAM(桌面筆電)、HBM(書架)、HBF(地下圖書館)、雲儲存 (公共圖書館)，其中 HBF 作為「AI 模型的深層知識庫」，持續向 HBM 輸送數據，徹底解決「記憶體牆」問題，降低大模型部署門檻。

業界人士預估，2027 年 HBF 將引爆兆元級新賽道，重塑記憶體與 AI 產業格局。

從 HBM 之父「權力轉移論」到技術突破與產業落地，HBF 正宣告 AI 時代的記憶體不再是 GPU「附屬品」，而是決定性能的「新王者」。