隨著 DRAM 超級週期正式來臨，多份產業報告指出記憶體與快閃記憶體的長期供應將持續緊張。自第二季度以來，DDR4 記憶體價格一路攀升，帶動 DDR5 也跟著回升，讓近期有裝機需求的消費者因此面臨更高成本壓力。

今年 9 月，記憶體與快閃記憶體巨頭美光科技 (MU-US) 和 SanDisk (SNDK-US) 相繼發布漲價通知。繼 SanDisk 宣布儲存產品價格上調逾 10% 後，美光也通知渠道商，其儲存產品將上漲 20% 至 30%。

價格飆升的背後源於人工智慧（AI）的爆發性增長。多份報告指出，AI 正推動 DRAM 記憶體進入新的「超級週期」。

其中的核心驅動力來自高頻寬記憶體（HBM）的廣泛應用，特別是科技巨頭積極開發定制化 ASIC 晶片，以提升自身 AI 系統的效能。

隨著 AI 高速發展，DRAM 產能正承受前所未有的壓力。每一套 AI 計算集群都需要大量 HBM 記憶體，進一步推升了對基礎 DRAM 晶圓的需求。

TrendForce 數據顯示，全球 DRAM 供應商的庫存週期僅剩 3.3 週，創近七年新低，遠低於行業平均的 10 週水準，顯示市場供不應求的壓力正急速升高。

除了超微半導體 (AMD-US) 、輝達 (NVDA-US) 等公司對 HBM 記憶體的龐大需求外，各大科技公司也積極開發自有 AI ASIC 晶片，進一步推升了市場對 DRAM 的需求預期。

瑞銀分析師預測，OpenAI 即將推出的 ASIC 晶片將採用 12 層堆疊的 HBM3E 技術。僅此一項目，就可能在 2026 至 2029 年間消耗全球每月 50 萬至 60 萬片 DRAM 晶圓產能。

此外，OpenAI 的「星際之門」（Stargate）超級運算集群，預估每月將消耗 90 萬片 DRAM 晶圓，約佔全球總供應量的 40%，使 DRAM 記憶體的戰略地位與先進製程晶片相當。

短期內，各家記憶體與快閃記憶體供應商難以大幅提升產能。為滿足 AI 需求，三星、海力士和美光等主要 DRAM 製造商，已將部分產線轉向 HBM 產品，並升級至 1c 奈米製程以提升產能。

由於全球 DRAM 產能高度集中於韓國廠商，未來數年如何滿足 AI 產業的龐大需求，將是業界面臨的關鍵挑戰。

隨著 HBM4 等新一代高頻寬記憶體技術即將推出，需求預料將進一步擴大，加速 DRAM 產業的成長。

目前，擴充 DRAM 供應仍是滿足科技巨頭對 HBM 強烈需求的唯一解方。