IP 供應商 M31(6643-TW) 今 (25) 日於台積電 (2330-TW) 北美開放創新平台 (OIP) 生態系論壇宣布，延續雙方先前合作，公司進一步將低功耗 IP 擴展至 N6eTM 平台，搶攻 AIoT 商機。

M31 總經理張原熏表示，M31 與台積電長期以來的合作關係，是公司持續創新的重要基石。從 N12e 低功耗解決方案到最新的 N6e ULL、ELL 及 Low-VDD 記憶體編譯器，公司不斷推出領先業界的 IP，協助 AIoT 與邊緣應用加速晶片設計的成功落地，未來將持續與台積電及 OIP 生態系夥伴深化合作，共同推動 AI 驅動技術的持續發展。

M31 指出，公司延續先前在台積電 N12eTM 製程上成功驗證的低功耗 IP 解決方案，進一步延伸至 N6eTM 平台，推出全新超低漏電 (ULL)、極低漏電 (ELL) 以及低電壓操作 (Low-VDD) 記憶體編譯器。

同時，M31 再度榮獲 2025 年台積公司 OIP 年度合作夥伴特殊製程 IP 獎，為連續第八年獲此殊榮，充分展現公司在台積電 OIP 生態系中的卓越貢獻與緊密合作關係，也印證公司在矽智財創新領域的領導地位。

M31 指出，基於台積電 N6e 先進製程開發的記憶體編譯器，專為 AI 邊緣運算與物聯網裝置打造，進行極致低功耗最佳化設計，並提供採用 LL、ULL 與 ELL SRAM bit cells 的客製化解決方案，協助智慧家庭、穿戴式裝置等應用在效能與功耗之間取得最佳平衡。

其中，N6e 製程 ULL 記憶體編譯器具備高密度、高效能的 SRAM 與 One Port Register File，並支援備援 (Redundancy)、電源閘控 (Power Gating)、掃描測試 (Scan)、內建自我測試 (BIST) MUX 以及 寬頻範圍 Dual-rail，能實現動態電壓與頻率調整 (DVFS)，並採用 High Sigma 設計方法，確保在嚴苛邊界條件下依然穩健運作。

ELL 記憶體編譯器則進一步提升功耗效率，在深度睡眠模式 (Deep Sleep Mode) 下可降低高達 50% 功耗，滿足對能效與晶片面積要求嚴苛的設計需求，同時兼顧速度與彈性。

此外，低電壓 (Low-VDD) 記憶體編譯器可在僅 0.5V 的操作電壓下運行，大幅降低動態與漏電功耗。透過 ULL、ELL 與 Low-VDD 三大產品組合，M31 為 N6e 平台提供完整且高彈性的設計支持。