碳化矽之散熱材料新亮點
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· SiC / 第三代半導體題材發酵
漢磊最近受到市場對碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）等第三代半導體的重視，因為這些材料在功率元件 / 高效率電源 / 先進封裝／散熱方面有較強應用需求。
· 先進封裝 CoWoS 的散熱需求提升
市場傳出台積電等晶圓代工 / 封裝廠在 CoWoS 封裝中遇到「矽中介板（Silicon Interposer）」散熱問題，擬引入單晶 SiC 材料以改善散熱。這樣的需求若真的落實，對漢磊是重大利多。
· 推出第 4 代平面型 SiC MOSFET 平台
漢磊已對外宣稱，對 SiC 客戶開放第 4 代平面型 MOSFET 平台，比起過去 G3 平台，在元件尺寸、導通電阻（Ronsp）上有改善，晶片面積與效率等對成本與良率具有正面作用。
· 庫存調整期之後的補貨與旺季效應
雖然上半年受庫存調整壓力，但目前市場對 AI 伺服器 / 電源 / 資料中心 等對功率元件的需求似乎回溫，大家看好下半年營運可望逐步改善。
· 股價突破與資金面活絡
漢磊近段時間股價漲停、創一年波段高價、突破重要均線外資有回補買超行為，自營商也有部分轉買的情況。
預期法說會（漢磊與其子公司嘉晶的）將公開更多未來訂單或技術進展，市場已經開始卡位。
總結來說，市場主要觀察的是「第三代半導體 + AI 散熱需求 + 新平台 MOSFET」題材，加上法說會釋出偏正面訊號，資金持續追捧。但基本面短期仍有挑戰，需留意題材落差風險。
黃培碩分析師 LINE 官方帳號
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