納微半導體 (Navitas)(NVTS-US) 今 (2) 日宣布，與力積電 (6770-TW) 建立戰略合作夥伴關係，將採用力積電 8 吋 0.18 微米製程生產氮化鎵 (GaN) 產品。由於 Navitas 日前才與輝達 (NVDA-US) 共同宣布，將共同開發新一代 800V 高壓直流 (HVDC) 電力架構，力積電此次合作也被外界看好將搶占 AI 電源高成長的市場。

Navitas 宣布，將於力積電竹南 8B 廠進行生產，採用 0.18 微米的 CMOS 製程，運用更先進的製程節點，藉此強化性能、能效及成本等方面。外界預期，隨著 Navitas 持續與力積電合作，相關後段測試也將續留台灣，預期將由微矽電子 (8162-TW)、矽格 (6257-TW) 承接。

力積電指出，公司決定投入 GaN 領域已有 2、3 年，是公司重要的轉型方向之一，Navitas 也是合作已久的客戶，目前產能皆足夠，待客戶需求確立後，將會擴大產能並支援客戶成長。

力積電此次將為 Navitas 生產 100V 至 650V 的氮化鎵產品，以滿足 48V 基礎設施，包括超大型 AI 資料中心和電動車對 GaN 日益增長的需求。首批產品預計於今年第四季度完成認證。其中，100V 系列計劃於 2026 年上半年在力積電率先投產，650V 產品將在未來 1-2 年從現有供應商台積電逐步轉由力積電。

Navitas 近期在 AI 資料中心、電動車與太陽能市場接連取得多項進展，包括投入氮化鎵與碳化矽 (SiC) 技術研發，支援輝達 800V HVDC 架構，應用於 1 兆瓦以上的機櫃。

全球領先的太陽能解決方案業者 Enphase 也已宣布，下一代 IQ9 產品將採用 Navitas 650V 雙向 GaNFast 氮化鎵功率晶片。同時，Navitas 的大功率 GaNSafe 技術也正逐步導入商用車車載充電器 (OBC) 應用領域。

Navitas 執行長兼共同創辦人 Gene Sheridan 表示，非常榮幸能與力積電攜手推進 8 吋矽基氮化鎵 (GaN on Si) 的生產，期待未來持續共同推動技術創新，通過與力積電的合作，將在產品性能、技術發展和成本效率方面持續取得突破。

力積電總經理朱憲國表示，雙方在矽基氮化鎵技術上已有多年合作經驗，如今產品認證即將完成，量產在即，公司倍感振奮。力積電將以此為基礎，繼續擴大合作，堅定支持 Navitas 探索並拓展氮化鎵市場。