三五族英特磊 IET-KY(4971-TW) 今 (29) 日召開法說會指出，由於上半年營收成長幅度低於預期，加上公司擴充產能，墊高營運製造成本，且原物料上漲拉高生產成本，上半年虧損 0.59 億元，較去年同期擴大，下半年目標為轉虧為盈。 

英特磊第二季營收 1.55 億元，季減 18%，年增 12.3%；毛利率 6.5%，季減 6.8 個百分點，年減 7.3 個百分點；營益率 - 30.3%，季減 17.1 個百分點，年減 8.6 個百分點；稅後虧損 0.46 億元，較第一季、去年同期虧損擴大，每股虧損 1.24 元。 

英特磊上半年營收 3.44 億元，年增 20.3%；毛利率 10.2%，年減 9.4 個百分點；營益率 - 20.9%，年減 9.7 個百分點；稅後虧損 0.59 億元，較去年同期虧損擴大，每股虧損 1.6 元。 

英特磊表示，上半年受惠銻化鎵 (GaSb) 出貨成長，帶動上半年營收年增逾 2 成。包含美國國防銻化鎵紅外磊晶晶片，以及其他國外客戶銻化鎵磊晶片需求增加，推升英特磊銻化鎵出貨。而英特磊現有 3 台銻化鎵磊晶機台，透過預先規劃輪替維護，確保產能並如期出貨。 

此外，董事長高永中表示，中國近日宣布 9 月 15 日起將針對銻金屬原料實施出口管制，公司已備妥足量的銻金屬原料庫存，可供 2 至 3 年所需，確保供貨無虞，並積極購買開源，也研擬調整相關產品報價以反應生產成本及供需情勢。 

展望下半年，預期銻化鎵紅外線磊晶晶片將持續成長，可望貢獻 20% 營收；磷化銦 (InP) 磊晶晶片則受惠 AI 產業熱絡，帶動 HBT 及 PIN 產品加速升級，光接受器 6 吋磷化銦 PIN 訂單已經到位，預期需求量會逐季增加。 

砷化鎵 (GaAs) 方面，主力產品高端 pHEMT 及 VCSEL 需求緩步成長；氮化鎵部分，雖然第二次長晶目前營收占比未達 5%，但已逐漸形成穩定產品線，國內外客戶遞增，有望倍數增長，目前持續開拓客源，並與主力客戶商討未來供應鏈模式，如是否集中就地設置二次長晶設施或量產供貨方式。 

至於機台業務方面，原計畫在第三季開始貢獻營收的機台改裝訂單，受客戶資金影響而順延，公司將爭取今年內增加機台改裝升級收入。