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韓媒:三星電子新設HBM晶片開發團隊

鉅亨網新聞中心
韓媒:三星電子新設HBM晶片開發團隊(圖:shutterstock)
韓媒:三星電子新設HBM晶片開發團隊(圖:shutterstock)

據《韓聯社》報導,業內消息人士周四 (4 日) 表示,三星電子新成立了一個專門開發高頻寬記憶體 (HBM) 的部門,以重新奪回人工智慧半導體市場的領導地位。

消息人士稱,新的 HBM 開發團隊是該公司半導體部門組織改革的一部分,旨在鞏固研發職能並加強研究工作,高效能 DRAM 設計專家副總裁 Sohn Young-soo 將領導團隊。

這次重整是副會長 Sohn Young-soo5 月下旬上任以來的首次重整,HBM 團隊將專注於下一代 HBM4 產品以及 HBM3 和 HBM3E 的研發。

此舉凸顯了三星致力於加強其 HBM 研發結構的承諾,HBM 是一種需求量很大的高效能 DRAM,特別是對於 Nvidia 的圖形處理單元,這是人工智慧運算的關鍵。

三星電子已開發出業界領先的 12 層 HBM3E 產品,目前正在接受 Nvidia(NVDA-US) 的品質測試,但這項產品的市場一直由其競爭對手 SK 海力士以其最新的 HBM3E 領先。

為了鞏固自己的地位,三星電子還重組了其先進封裝團隊和設備技術實驗室,以增強其整體技術競爭力。

該公司最近用 Jun 取代了半導體業務主管,並開始招募 800 多個職位,其中包括開發和驗證下一代 DRAM 解決方案控制器的職位。

過去幾年,三星電子的晶片業務一直受困於銷售低迷,去年營業虧損超過 15 兆韓元 (110 億美元)。從 2022 年第四季到 2023 年第四季度,該公司連續五季出現營運虧損。

然而,由於記憶體晶片價格上漲,2024 年第一季晶片業務反彈,實現營業利潤 1.91 兆韓元,銷售額 23.1 兆韓元

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