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晶片設備製造商ASML出貨高數值孔徑EUV給第二家客戶 很可能是台積電

鉅亨網編譯張祖仁
晶片設備製造商ASML出貨高數值孔徑EUV給第二家客戶 很可能是台積電。(圖:REUTERS/TPG)
晶片設備製造商ASML出貨高數值孔徑EUV給第二家客戶 很可能是台積電。(圖:REUTERS/TPG)

全球最大電腦晶片設備設備供應商 ASML (ASML-US) 周三 (17 日) 表示,已將其最新的「高數值孔徑 (NV)」EUV 光刻系統之一運送給第二家客戶。

ASML 在 12 月至 1 月向英特爾 (INTC-US) 提供了一款高 NA 工具,但沒有透露第二個客戶的身份。潛在客戶可能包括為輝達 (NVDA-US) 和蘋果 (AAPL-US) 或三星生產晶片的合約晶片製造商台積電 (TSM-US)(2330-TW)。

這些機器每台成本約為 3.5 億歐元,將支援新一代更小、更快的晶片。

此次出售與 ASML 未達預期的第 1 季財報一起披露。

台積電和三星先前曾表示計劃採用最新系統,將導致單一晶片上可封裝的電晶體數量大幅增加。

英特爾將於 2026 年至 2027 年在其 14A 系列晶片的早期生產中開始使用高 NA 工具。

第一台高數值孔徑機器是在荷蘭 Veldhoven 的 ASML 總部組裝,採用 EUV 技術的公司可以使用該機器進行測試。該公司表示已收到 10 至 20 台機器的訂單。

光刻系統使用光束來幫助創建晶片電路。ASML 的第一代 EUV 系統目前用於製造智慧型手機和人工智慧晶片中的大多數晶片,它使用「極紫外線」波長的光來創建分辨率低至 13 奈米的設計特徵,比病毒還要小。

該公司周三在 X 上發布貼文和照片表示,高 NA 機器已成功生產 10 奈米的特徵。根據 ASML 官網,該機器的理論極限是 8 奈米。

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