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WSJ:三星擬擴大德州半導體投資至440億美元

鉅亨網編譯段智恆
WSJ:三星擬擴大德州半導體投資至440億美元(圖:REUTERS/TPG)
WSJ:三星擬擴大德州半導體投資至440億美元(圖:REUTERS/TPG)

《華爾街日報》(WSJ)周五 (5 日) 援引知情人士消息報導,三星電子計劃將德州半導體投資的金額提高逾一倍,達到約 440 億美元,此舉為美國尋求生產更多世界尖端晶片的重大突破。

報導指出,三星計畫在目前位於德州奧斯汀 (Austin) 近郊泰勒市 (Taylor) 半導體工廠蓋新廠,預估建廠成本超過 200 億美元。據悉,三星將於 4 月 15 日在新廠預定地召開記者會,宣布這筆擴大投資案。

據了解,三星的新投資將集中在德州泰勒市,包含一座新的晶片製造工廠,以及一座進行先進封裝和研發的設施。三星原先是在兩年多前,宣布在德州泰勒市投資 170 億美元設廠,距離奧斯汀的現有三星工廠不遠。

三星已在前年開始動工打造位於泰勒市的首座晶圓廠,預估最快今年量產。受通膨與其他因素影響,該座晶圓廠的成本已攀升,需要額外投資數十億美元,而第二座晶圓廠可能要耗資逾 200 億美元,兩座晶圓廠的具體投資金額可能會依情況而有所改變。

拜登政府正利用激勵措施和政策支持,試圖讓全球晶片製造商在美國本土建廠。外媒今年 3 月報道稱,美國政府計劃向三星提供 60 多億美元的資金,幫助其在得州擴大原先宣布的建廠計畫。

對於上述報導,三星和商務部皆拒絕置評。

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