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SK海力士公告:斥資約40億美元在美建HBM先進封裝廠

鉅亨網編譯羅昀玫
SK海力士斥資約40億美元 在美建HBM先進封裝廠 (圖:shutterstock)
SK海力士斥資約40億美元 在美建HBM先進封裝廠 (圖:shutterstock)

《彭博》週三 (3 日) 報導,南韓記憶體晶片大廠 SK 海力士計畫斥資 38.7 億美元在印第安納州興建先進封裝廠和人工智慧產品研究中心。

SK 海力士表示,將在美國印第安納州西拉法葉市建造其首個美國先進封裝廠,計劃於 2028 年下半年開始量產。

該工廠將專注於建造下一代高頻寬記憶體晶片生產線,這些晶片是訓練人工智慧 (AI) 系統的圖形處理器的關鍵組件。

因搭配美國 AI 晶片巨頭輝達的 AI 處理器的高頻寬記憶體 (HBM) 需求激增,SK 海力士作為所謂 HBM

晶片的主要設計者和生產商,已成為人工智慧發展熱潮中的關鍵參與者。

SemiAnalysis 數據顯示,SK 海力士的 HBM 位元市占約為 73%,三星電子居次 (22%),美光 (Micron) 位居第三 (5%)。

這項決定是在 SK 海力士宣布投資美國計畫約兩年後做出。當時 SK 集團董事長崔泰源表示將撥出約 150 億美元在美國建造晶片設施並支援研究計畫,據悉,目標是降低美國對台灣先進晶片的依賴。

《華爾街日報》上月 26 日就曾獨家報導,SK 海力士預定的廠址鄰近普渡大學 (Purdue University),預料將創造 800~1,000 份工作機會。

消息人士當時稱,州政府、聯邦政府都會向 SK 海力士提供抵稅優惠等形式的補助,資助這項建廠計畫,預計 2028 年就可開始運作。SK 海力士發言人當時回應,公司正審視美國先進晶片封裝投資案,但目前尚未做出最終決定。

自拜登總統上任以來,在 2022 年晶片法案的推動下,半導體公司已承諾在美國當地投資超過 2,300 億美元。

英特爾 (INTC-US) 上月自拜登政府獲得 85 億美元的補助和高達 110 億美元的貸款,以支持超過 1,000 億美元的當地投資。拜登政府還計劃向 SK 海力士的競爭對手三星電子補助超過 60 億美元,向台積電 (TSM-US) 提供超過 50 億美元,而截至目前,大部分資金都流向了德州、紐約州和亞利桑那州。 

SK 海力士也申請了晶片法案的的撥款,該法案旨在促進半導體製造業回歸美國。

摩根大通分析師 Jay Kwon 近期報告指出,市場猜測 SK 海力士將明顯成為 HBM 領域的贏家,加上反映出產品的強勁需求,預計其股價強勁漲勢短期將持續下去。

SK 海力士 (000660) 股價在過去一年裡上漲超過一倍,讓它躍升為南韓第二大公司,近日市值也突破 130 兆韓元 (約台幣 3 兆)。

(本文不開放合作夥伴轉載)

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