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微矽電子啖SiC/GaN測試商機 新產能下半年開出

鉅亨網記者魏志豪 台北
微矽電子董事長張秉堂。(鉅亨網記者魏志豪攝)
微矽電子董事長張秉堂。(鉅亨網記者魏志豪攝)

微矽電子 (8162-TW) 今 (22) 日舉辦上市前業績發表會,董事長張秉堂表示,隨著節能趨勢成形,各家積極投入 GaN/SiC 解決方案,公司為滿足客戶需求,也啟動擴產計畫,預計今年第二季無塵室就會完工並進駐機台,貢獻下半年營運。

微矽電子資本額為 6.466 億元,員工數 560 人,主要專注在功率元件與電源管理 IC 領域,提供測試、薄化、封裝一站式整合服務,依營收比重來看,半導體測試佔 72%、晶圓薄化 18% 與半導體封裝 10%。

張秉堂指出,去年是微矽電子近年營運最辛苦的一年,整體產業進行庫存去化,影響公司營運,不過,去年下半年隨著景氣從谷底往上走,公司營運也開始回溫,今年也看到客戶需求增加,啟動擴產計畫。

微矽電子正積極擴建竹南廠,原有廠房面積 3723 坪,此次新擴建面積為 2045 坪,廠房預計第一季完工,無塵室緊接在第二季完工,預計會增加晶圓測試設備 100 套,並以第三代半導體的 GaN/SiC 測試為主,晶圓薄化產能也增加 50%。

張秉堂看好,氮化鎵從快速充電器擴展到智慧家電、資料中心、AI 伺服器等應用,帶動氮化鎵需求快速成長,目前也看到需求往無人機領域發展;碳化矽則除了電動車外,也有太陽能、風電等應用。

尤其在碳化矽領域,微矽經過多年的耕耘,預期將隨著客戶產品,在今年開始進入量產。

晶圓薄化 (BGBM/FSM),看好隨著電子商品用電量持續提升,節能需求將刺激晶圓薄化需求成長,其中,BGBM 產能今年持續擴產,新製程 FSM 也同樣預計今年開始進入量產,滿足客戶 Power MOSEFT 的散熱需求。

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