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SK海力士全球最高速LPDDR5T移動DRAM 與高通完成性能驗證

鉅亨網新聞中心
SK海力士全球最高速LPDDR5T移動DRAM 與高通完成性能驗證(圖:shutterstock)
SK海力士全球最高速LPDDR5T移動DRAM 與高通完成性能驗證(圖:shutterstock)

SK 海力士 25 日宣佈, 公司開始推進「LPDDR5T(Low Power Double Data Rate 5 Turbo) DRAM」的商用化,其目前移動 DRAM 中可實現 9.6Gbps(每秒 9.6 千兆)最高速度。SK 海力士表示,最近獲得了將 LPDDR5T DRAM 適用於高通最新第三代驍龍 8 移動平台(Snapdragon®8 Gen 3 Mobile Platform)的業內首次認證。

自今年 1 月開發出 LPDDR5T DRAM 以來,SK 海力士與高通進行了相容性驗證合作。兩家公司在結合 LPDDR5T DRAM 和高通的最新第三代驍龍 8 移動平台的智慧手機上進行驗證得出,兩款產品都發揮出了優秀的性能。

LPDDR(低功耗雙倍數據速率)是用於智慧手機和平板電腦等移動端產品的 DRAM 規格,因以耗電量最小化為目的,具有低電壓運行特徵。

規格名稱附有「LP(Low Power,低功耗)」,最新規格為第七代 LPDDR(5X),按 1-2-3-4-4X-5-5X 的順序開發而成。LPDDR5T 是 SK 海力士業內首次開發的產品,是第八代 LPDDR6 正式問世之前,將第七代 LPDDR(5X)性能進一步升級的產品。

SK 海力士強調:「公司的 LPDDR5T DRAM 成功完成與全球權威通信晶片公司高通等主要移動 AP(Application Processor)供應商的性能驗證,今後移動設備中 LPDDR5T DRAM 的佈局將迅速擴大。」

公司計畫向客戶提供以 LPDDR5T DRAM 單品晶片結合而成的 16GB(千兆)容量套裝產品。該產品的資料處理速度為每秒 77GB,其相當於 1 秒內可處理 15 部全高清(Full-HD,FHD)級電影。

另外,LPDDR5T DRAM 可在國際半導體標準化組織(JEDEC)規定的最低電壓標準範圍 1.01~1.12V(伏特)下運行,在功耗方面也具備了優勢。

SK 海力士技術團隊在開發該產品的過程中,採用了 HKMG(High-K Metal Gate)工藝,在運行速度和功耗方面都有效提高了性能。由此公司期待,在下一代的 LPDDR6 DRAM 問世前,LPDDR5T DRAM 在移動 DRAM 市場上佔據很大比重。

高通技術公司產品管理高級副總裁(Senior Vice President of Product Management)Ziad Asghar 表示:「第三代驍龍 8 產品可以低功耗下無延遲驅動生成型 AI 為基礎的大語言模型(LLM)和大視覺模型(LVM)。驍龍移動平台和 SK 海力士的最高速移動 DRAM 相結合,智慧手機用戶將能夠體驗驚人的 AI 功能。」

SK 海力士 DRAM 商品企劃擔當副社長柳成洙表示:「LPDDR5T DRAM 成功滿足了全球客戶對超高性能移動 DRAM 需求,對此感到很高興。」

柳副社長還補充道:「預計今後智慧手機將成長為驅動 AI 技術的核心應用。為此,需要通過移動 DRAM 持續提高智慧手機的性能,公司將繼續加強與高通的合作,努力提高該領域的技術能力。」

HKMG 是在 DRAM 電晶體內的絕緣膜上採用高 K 柵電介質,在防止漏電的同時還可改善電容(Capacitance)的新一代工藝。不僅可以提高記憶體速度,還可降低功耗。SK 海力士於去年 11 月在移動 DRAM 上全球首次採用了 HKMG 工藝。

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