據韓國媒體 Business Korea 報導，隨著美國晶片法案通過，但禁令定義仍未明確，三星、SK 海力士等半導體廠，日益擔心領取晶片法案補助，可能伴隨無法在中國擴充產能與投資的風險。

美國晶片與科學法案中，提供 390 億美元資金補貼，及為期四年的 25% 稅收抵免，以鼓勵企業在美國建廠，並提供要在美國打造研發中心的半島體廠 110 億美元補貼，但依規定，一旦申請取得補貼，未來十年將不得在中國等特定地區擴大產能與投資。

韓媒指出，該禁令針對 28 奈米以下製程技術，但禁令定義仍未釐清，是否涵蓋記憶體或僅限於非記憶體晶片。若僅限於非記憶體晶片，對三星、SK 海力士等半導體廠來說，風險將趨近於零，因為兩家廠商都未在中國生產非記憶體晶片。

不過，若禁令囊括記憶體晶片，三星、SK 海力士將受影響。目前三星 NAND Flash 廠座落西安，封測廠在蘇州，SK 海力士的 DRAM 和 NAND Flash 廠分別在無錫與大連，無錫廠量產 10 奈米級 DRAM，三星風險相對較低，因 NAND Flash 晶片主要以堆疊層數來計算，而非奈米級製程。

韓媒認為，無論何種情況，接受補助後的十年間，三星、SK 海力士投資計畫與活動都必須先知會美國商務部，將使兩家廠商無法完全免於風險。