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三星著手開發DDR6並改採mSAP封裝 估後年亮相

鉅亨網記者張博翔 台北

三星已開始進行 DDR6 的前期開發,三星封測業務 (TSP) 副總高永寬透露,記憶體性能持續提升之際必須更新封裝技術,預計三星 DDR6 將採半成品法 (mSAP) 封裝,DDR6 可望在後年開發完成。

三星表示,目前 SK 海力士、美光 (MU-US) 等競爭者已開始採用 mSAP 封裝量產 DDR5 產品,預計三星 DDR6 新品也將開始採用。

mSAP 封裝主要是針對減成法製作困境、與加成法精細線路製作的既存問題進行改良,可將蝕刻時間縮短、線路寬度不受電鍍銅厚影響,同時提升良率。

高永寬表示,若記憶體容量和處理速度需求提升,封裝上便需要相對應的技術設計,隨著層數上升、技術升級,記憶體基板市場將會持續擴大。

三星預計 DDR6 將在 2024 年開發設計完成,但 2025 年後才有機會商用,DDR6 記憶體速度將是 DDR5 的兩倍,傳輸速度在 JEDEC 上比 DDR5 增加 1.7 倍,超頻速度提高 2.36 倍。

另外,三星表示,其他封裝技術方面,三星也正在應用扇出型晶圓級封裝 (FO-WLP) 和扇出型面板級封裝 (FO-PLP)。

高永寬說到,三星去年 5 月起便開始量產谷歌手機 AP,這證明具備面板級封裝的實力。

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