三星全力加強晶圓代工實力，GAA 架構的 3 奈米製程已進入量產，南韓媒體 BusinessKorea 指出，第一代 3 奈米晶片將供應給中國廠商，明年第二代晶片問世後，2024 年將導入三星 Galaxy 手機。

三星表示，第一代 3 奈米製程可將功耗降低 45%、性能提高 23%，晶片面積減少 16%，第二代 3 奈米製程晶片可降低高達 50% 的功耗，提高 30% 的性能和減少 35% 的面積。

三星計劃明年推出第二代 3 奈米晶片，2025 年量產 GAA 架構的 2 奈米晶片，第一代 3 奈米晶片並未公布首發客戶名單，但市場傳首波客戶有可能是上海磐矽半導體 (PanSemi) 和高通 (QCOM-US)。

由於終端需求疲軟、英特爾 Sapphire Rapids 伺服器處理器延後發布導致記憶體需求受影響，下半年記憶體市況有隱憂，研調集邦預測，第三季 DRAM 報價將下降 10% 以上，而伺服器 DRAM 價格也將下降 5-10%，跌勢恐至少持續到今年底。

也因此，三星將半導體業務希望寄託在先進製程開發上，6 月底已正式宣布量產 3 奈米製程，領先台積電 (2330-TW)(TSM-US)，且聲稱， 3 奈米製程這次沒有良率問題，並已成立特別小組，全力提高新製程的產量。