記憶體大廠 SK 海力士計畫升級中國無錫廠設備，導入 ASML 的 EUV(極紫外光) 設備機台，但傳遭美方出手阻撓；市場預期，SK 海力士無錫廠升級計畫受阻，恐無法轉進生產下世代 DDR5 產品，DDR4 供給不如預期減少，價格恐續下挫，模組廠則可趁低價備貨料源，可望因此受惠。

SK 海力士無錫 DRAM 廠月產能 18 萬片，採 1Y 奈米製程生產，主要產品為 DDR4，無錫廠占 SK 海力士約半數 DRAM 產能，全球市佔率則為 15%。而 SK 海力士計畫在無錫廠引進最新 EUV 設備，卻遭美方阻撓，無錫廠升級計畫因此受阻。

SK 海力士今年 7 月宣布以 EUV 設備、採用 1a 奈米製程，量產 8GB 容量 LPDDR4 行動裝置用 DRAM，並計畫在未來所有 1a 奈米的 DRAM 生產上，全面導入 EUV 技術，以確保品質穩定；SK 海力士也計畫 2022 年初時，採用 1a 奈米製程生產 DDR5 產品。

業界人士認為，在升級計畫受阻下，可能影響 SK 海力士無錫廠轉進 1a 奈米製程腳步，後續生產下世代 DDR5 產品也將受影響。

市場預期，SK 海力士無錫廠原先計畫升級的設備，可能維持既有製程生產，DDR5 市場競爭壓力將趨緩，DDR4 則因供給不如預期減少，價格恐持續下挫，模組廠威剛 (3260-TW)、宇瞻 (8271-TW)、十銓 (4967-TW)，則可趁低價備貨建庫存。