據南韓《中央日報》7 日報導，三星電子 (005930-KR) 的晶圓代工業務，再度確認將導入新一代的閘極全環 (Gate All Around，GAA) 電晶體架構，搶在台積電 (2330-TW) 之前宣布於 2025 年投入 2 奈米製程的晶片量產。晶圓代工的全球版圖很可能因而改變。

三星 7 日於線上舉行的「2021 三星晶圓代工論壇」(Samsung Foundry Forum 2021) 當中作出上述表示。

這次論壇是以「Adding One More Dimension」來作為討論主題，三星過去曾在 2020 上半年宣布該公司要在 GAA 的基礎上導入 3 奈米製程。這回更提到要基於 GAA 基礎，在 2023 年時要導入第二代的 3 奈米製程，並於 2025 年導入 2 奈米製程。而這回也是三星首度表明 2 奈米的製程規劃。

GAA 技術可讓晶片中的電晶體更小、更快，也更省電。而截至目前為止，FinFET(鰭式場效電晶體) 是當前最新的電晶體技術；以三星為例，該公司於 2012 年時，在 14 奈米製程導入該項技術。

不過 FinFET 在來到 7 奈米、5 奈米、4 奈米等細微製程時就接連遇上瓶頸，該構造在 4 奈米以下的製程當中，已無法再降低作業電壓，而解決辦法就是 GAA 技術。

三星在 GAA 技術研發上，進一步發展出獨自的「MBC FET」(Multi Bridge Channel Field Effect Transistor) 技術。該公司表示採用 MBC FET 構造的 3 奈米製程，比起以往 FinFET 技術的 5 奈米製程，在性能上提升 30%、電力消耗減少 50%、面積縮小 35%。

另外三星也在這次論壇公布 17 奈米的 FinFET 新製程。依照三星相關人士的說法，新製程和過去相比，在性能上提升 39%、電力效率提升 49%、面積縮小 43%。

在這次論壇舉辦之前，有大約 500 家無晶圓廠的客戶、夥伴，超過 2000 人報名參加。