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〈聯電頎邦結盟〉吳非艱:合作效益明年顯 頎邦獲利增幅10%起跳

鉅亨網記者魏志豪 台北
頎邦董事長吳非艱。(鉅亨網記者魏志豪攝)
頎邦董事長吳非艱。(鉅亨網記者魏志豪攝)

封測廠頎邦 (6147-TW) 今 (3) 日與聯電 (2303-TW) 進行換股,頎邦董事長吳非艱表示,雙方原先即在驅動 IC 領域有緊密合作關係,未來合作將進一步延伸至非驅動 IC 領域,包括第三代半導體、功率元件、射頻應用等,隨著合作效益顯現,明年獲利增幅可望抵消股本膨脹帶來的壓力,年增 10% 起跳。

頎邦此次與聯電及其旗下 100% 持股子公司宏誠創投進行三方股權交換,頎邦將發行新股 6715 萬股,增資完後股本膨脹至 73.87 億元,預計稀釋現有股東股權約 9.09%,對今年每股稅後純益影響數僅約 1.5%,換股程序預計今年底前完成。

吳非艱表示,此次跟聯電合作有兩大領域,一塊是雙方既有合作的驅動 IC 領域,另外一塊則是非驅動 IC 領域,其中,驅動 IC 由於現今晶圓供應相當吃緊,若雙方進一步合作,也有助客戶取得更多產能,帶動更多客戶下單,目前已看到實質效益。

吳非艱指出,聯電在驅動 IC 領域是採用 28 奈米高壓製程,目前已擴展至 22 奈米,頎邦則是全球驅動 IC 封測龍頭,未來兩家在驅動 IC 領域可望更密切合作,共同整合前、後段製程的技術,提供客戶更完整的解決方案。

非驅動 IC 領域方面,吳非艱說明,頎邦在第三代半導體已經營多年,具備測頻元件封測技術,現今客戶為 IDM 大廠,隨著終端需求不斷增加,已看到 IDM 廠產能逐漸不足,並開始外包給晶圓代工廠,因此透過與聯電交流,除可把握既有客戶訂單,也能掌握委外商機。

吳非艱補充,聯電主要著墨在氮化鎵 (GaN) 領域,頎邦也已量產 GaN 的射頻元件,因此雙方在該領域的合作效益會很快顯現,預期兩邊業務都會增加。

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