晶圓代工廠世界先進 (5347-TW) 今 (4) 日召開法說，公司表示，氮化鎵 (GaN) 製程研發上季取得不錯的突破，預期快則今年底、慢則明年上半年就能小量量產。

世界先進在 GaN 材料上投資超過 4 年時間，與設備材料廠 Kyma、及轉投資 GaN 矽基板廠 Qromis 攜手合作，開發可做到 8 英寸的新基底高功率氮化鎵技術 GaN-on-QST。

世界先進指出，目前在 QST 基板上取得獨家供應，開發成果中，可看到其可靠性 (Reliability) 優勢，將來在電源應用上，有較高的期待。

世界先進透露， GaN-on-QST 技術在上季取得不錯的突破，客戶驗證也有不錯成果，有幾個客戶著手進行產品設計中，對進度樂觀看待，預期最快今年底、慢則明年上半年，就可小量量產。

GaN 屬於新材料，效能、可靠度等均需要長時間驗證，在 5G 高頻功率元件中，扮演重要角色，被看好未來將大量應用於車聯網、電動車、5G 基地台供電模組等領域，世界先進也因此積極佈局 GaN 材料，著眼 8 吋 GaN 製程研發。