DRAM 廠南亞科 (2408-TW) 今 (20) 日宣布將斥資 3000 億元，在新北市泰山南林科技園區建 12 吋廠。總經理李培瑛指出，受惠 5G 等應用驅動，DRAM 需求每年均穩定成長 15-20%，供應商也都理性擴產，加上既有廠空間已不足，因此決定建新廠，量產第一階段將先導入自主研發 10 奈米級技術的第二世代。

李培瑛表示，12 吋新廠以 7 年三階段投資，規劃月產能共 4.5 萬片，2024 年將量產第一階段、月產能約 1.5 萬片，將導入自主研發的 10 奈米級製程第二世代，而後續也將陸續導入第三世代、甚至第四世代，至於 EUV(極紫外光) 微影生產技術將從第三世代啟動。

建廠資金方面，李培瑛指出，南亞科目前手中現金仍有 600 億元，短期內現金流不是問題，長期可能會適度舉債，但負債比還是會維持相當低的水準，目前還不需要籌資，可能 3、4 年後再做思考。

對於選在此時間點建廠，李培瑛表示，目前 3A 廠僅剩小小的空間，為公司長遠永續發展，必須在製程技術、產品技術、產能規劃上持續推進。

李培瑛指出，目前 DRAM 市況、客戶需求穩定成長，供應商也都因應市場需求、相對理性的增加產能，且所有供應商對 DRAM 產業的依賴度都非常高，因此過去幾年，產業都相對穩健發展。

另一方面，李培瑛表示，5G、AI、工業等應用，對 DRAM 需求持續提升，隨著電子產品智慧化含量增加，DRAM 市場需求每年均穩定成長 15-20%，大部分供應商在擴產時，也會設法貼近產業實際需求增幅。