據報導，南韓記憶體製造商的領先地位，似乎正面臨來自競爭對手的嚴峻挑戰，尤其美國競爭對手美光 (MU-US) 的急起直追。

報導指出，美光是全球第五大 NAND Flash 製造商，正逐漸展現出技術研發的實力，該公司在 2020 年 11 月開始向全球客戶供應 176 層堆疊的 NAND Flash 產品，更是在 1 月份宣布已開始量產第四代 10 奈米 DRAM，這些都是南韓大廠三星電子或 SK 海力士無法量產的產品。

儘管截至去年第四季，三星電子和 SK 海力士在全球 DRAM 市場中的佔比合計達 71%，NAND Flash 市場中的佔比也達到 45%，但兩家公司連續失去全球新技術首發的紀錄，反映出兩家公司的技術領導地位正受到對手的威脅。在一、兩年前，三星電子在技術上領先美光約 2 年。

三星電子於 2018 年 7 月量產了 96 層堆疊 V-NAND Flash，並且 SK 海力士於 2019 年 6 月首次量產了 128 層堆疊的 4D-NAND Flash。美光則一直到了 2020 年第二季，才量產 128 層堆疊 NAND Flash。三星電子還保持了第一代至第三代 10 奈米 DRAM 全球首發的紀錄。但現如今，許多專家開始擔憂，在美光陸續取得兩項技術領先後，南韓半導體業的優勢是否能維持下去。

報導中指出，技術差距縮小的最大原因是，隨著記憶體工藝製程已接近極限，排名靠前的公司要進步會比後來者困難得多。到目前為止，三星電子已經花費了數兆韓元，並且相當多的時間在研發上以開發新技術。但是後來者卻能夠參考三星電子的技術發展路徑，以更少的投資和時間趕上三星電子。

有分析師表示，儘管目前南韓企業在成本競爭力和設施投資方面具有優勢，但也正逐漸被美光和其他競爭對手追上。在 2019 年，美光的營業利益率為 19.5%，低於三星電子的 21.6%，但卻幾乎是 SK 海力士 10.1% 的兩倍。儘管三星電子在 2020 年的營業利益率來到 25.8%，但 SK 海力士的營業利益率為 15.7%，與美光的 15.2% 相差無幾。