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〈觀察〉供需缺口擴大 利基型DRAM上半年價格逐季揚升

鉅亨網記者林薏茹 台北

在供給吃緊下,利基型產業 DRAM 去年第四季迎來春燕,業者相繼漲價、且漲幅達 15%,今年首季利基型 DRAM 現貨價漲幅更進一步擴大至 2 成,現貨價甚至高於合約價 40%;在三星持續將 DRAM 產線轉往 CIS 製程下,供給吃緊情況將更嚴重,業者看好,現貨價上半年漲勢仍可期,價格可望逐季走揚。

SONY 為 CMOS 影像感測器大廠,市占率超過 5 成,而三星較晚進入市場、市占率約 2 成。去年以來受華為禁令衝擊,SONY 的華為 CMOS 業務頓時大減,讓小米、Vivo 與 OPPO 等廠商,有爭取更多手機市占的機會,也成了三星擴大 CMOS 市占率的好時機。

為追趕龍頭廠 SONY 的腳步,三星去年陸續將低密度 DRAM 產能移轉至中高階 CMOS 與車用市場,去年第四季更加快腳步布局;而上周更傳出三星加速進軍 CMOS 領域,位於南韓華城的第 11 條 DRAM 產線,已改建為 CMOS 製程,進入量產階段。

隨著電視、機上盒等需求回溫,加上 5G 基礎建設帶動網通產品需求暢旺,利基型記憶體需求攀升,使利基型 DRAM 供不應求情況加劇。

鈺創 (5351-TW)、華邦電 (2344-TW) 等業者,去年第四季利基型 DRAM 價格已調漲超過 15%,晶豪科 (3006-TW) 去年 12 月現貨價也跳增 2 成,反應市場供給吃緊情況。

而今年以來,利基型 DRAM 現貨價持續強漲,漲幅進一步墊高、達到 2 成,在產能供不應求下,面對短單或非策略客戶,傳出業者價格也越談越高。

隨著三星淡出利基型 DRAM 市場、SK 海力士也加速衝刺 CMOS 產能,加上需求持續增加,華邦電、晶豪科等業者均看好,今年上半年利基型 DRAM 價格將逐季走揚,漲勢仍相當可期。

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