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超前業界 三星電子宣布量產10奈米級LPDDR5 DRAM晶片

鉅亨網編譯凌郁涵

隨著全球晶片製程技術持續進化,南韓科技巨頭三星電子 (Samsung Electronics) 宣布,已經開始量產使用極紫外光 (EUV) 光刻技術製造的第三代 10 奈米級 LPDDR5 DRAM 晶片,領先於業界,未來 DRAM 製程也將有望朝向個位數奈米製程前進。

三星電子宣布,該公司位於南韓平澤市的第二條半導體生產線,已經開始量產領先於全球的第三代 10 奈米級 LPDDR5 DRAM 晶片,達到業界內最大的容量和最快的速度。

三星電子最新的 10 奈米級 LPDDR5 DRAM 晶片,傳輸運行速度高達 6400Mb/s,較目前市場上旗艦版智慧型手機的 12 GB LPDDR5 DRAM 晶片快上 16%。該公司也指出,配備 16 GB 記憶體的智慧型手機將可以每秒傳送 51.2 GB 的數據,相當於 10 部高畫質電影。

此外,最新的 10 奈米級 LPDDR5 DRAM 晶片也比先前的產品薄 30%,將有助於為配備多項零組件的產品,如高階相機手機或 5G 手機,以及有厚度考量的產品,如可折疊式手機,提供最佳解決方案。

報導指出,在今年 2 月份,三星電子便已經開始使用第二代 10 奈米級工藝製程技術量產 16GB LPDDR5 DRAM。在短短六個月內,該公司更進一步加強了高階行動 DRAM 產品組合,包括導入新一代晶片製程技術。

在 DRAM 領域中,南韓 SK 海力士排名全球第二,市占率僅次於三星電子。如今,SK 海力士也正積極研發將 EUV 技術應用於第四代 10 奈米級產品,並計畫於 2021 年實現量產,與三星電子相比,SK 海力士大約落後了六個月到一年的時間。

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