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〈華邦電法說〉二大因素衝擊 去年Q4轉虧 全年EPS 0.32元

鉅亨網記者林薏茹 台北
華邦電董事長焦佑鈞。(鉅亨網資料照)
華邦電董事長焦佑鈞。(鉅亨網資料照)

記憶體廠華邦電 (2344-TW) 今 (7) 日召開法說,並公布去年第 4 季財報,受到 DRAM 價格下滑衝擊,加上 25 奈米新製程開發成本高二大因素影響,單季營運轉虧,稅後虧損 1.47 億元,每股虧損 0.05 元,創近 27 季新低,惟全年仍獲利,稅後純益 12.56 億元,年減 81%,每股純益 0.32 元。

華邦電去年第 4 季合併營收 124.53 億元,毛利率 22%,季減 5 個百分點,年減 12 個百分點,營益率 - 1%,較上季的 4%、去年同期的 10.4% 轉負;稅後虧損 1.47 億元,較上季與去年同期轉虧,每股虧損 0.05 元。

華邦電去年營收 487.71 億元,年減 4.7%,毛利率 27%,年減 10 個百分點,營益率 3%,年減 12 個百分點;稅後純益 12.56 億元,年減 81%,每股純益 0.32 元。

華邦電去年第 4 季 NOR Flash 營收占比達 46%,NAND Flash 9%,DRAM 占比 45%。從全年來看,去年 DRAM 營收占比達 49%,營收年減 14%,主要受到產品價格下滑影響;Flash 營收占比達 51%,全年出貨量創新高。

從去年記憶體產品營收應用來看,消費性電子占比 28%、通訊電子 30%、電腦相關 22%、車用與工業用相關 20%。

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