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陸廠記憶體進逼!美光股價連四跌 馬斯克也警告中國製造擴張能力驚人

鉅亨網編譯余曉惠
中國記憶體急追!美光股價連四跌 馬斯克也警告中國製造擴張能力驚人 (圖:Shutterstock)
中國記憶體急追!美光股價連四跌 馬斯克也警告中國製造擴張能力驚人 (圖:Shutterstock)

美光科技(MU-US)股價周二(13日)收低3.6%,連續第四個交易日下跌,長鑫存儲(CXMT)傳出在提升單顆晶片記憶體密度的技術上取得進展後,中國記憶體業者加速追趕的可能性,令市場對產業競爭升溫的疑慮加深。

美光周二下跌3.6%至每股953.19美元,半導體類股也普遍走弱。費城半導體指數(SOX)下跌約0.2%。根據《南華早報》(South China Morning Post)報導,長鑫存儲表示,採用4F²設計的新款伺服器記憶體產品,最快可能在今年稍晚推出。這項技術可在相同空間內配置更多記憶體單元。

馬斯克示警中國製造擴張能力

特斯拉(TSLA-US)執行長馬斯克周一也在社群平台X發文,談到市場對中國記憶體業者追趕速度的疑慮。他寫道:「當中國掌握如何製造某種產品時,其擴大生產規模的能力往往超越世界其他地區的總和。」

馬斯克提到中國在鋰電池與太陽能領域的進展。他也表示,自己的SpaceX(SPCX-US)在火箭運載重量方面仍領先全球,但中國承擔了「SpaceX以外的大部分太空運載量」。

馬斯克認為,記憶體市場的情況可能有所不同。他指出,幾年前,供電腦與筆電暫時儲存資料使用的隨機存取記憶體(RAM),基本上還是高度商品化的產品。但在AI基建熱潮引發全球RAM嚴重短缺、推升價格之後,美光在內的記憶體製造商大獲其利。

馬斯克表示,中國似乎正在目前及下一代低功耗雙倍資料率記憶體(LPDDR5、LPDDR6)的技術方面快速追趕,但堆疊式高頻寬記憶體(HBM)這類新的晶片架構,「將更難解決」。

AI交易過度擁擠 記憶體業者面臨新挑戰

瑞穗證券(Mizuho)交易部分析師Jordan Klein指出,晶片股遭到拋售,反映人工智慧(AI)與半導體交易已「極度擁擠」,相關股票被大量持有,因此市場波動可能加劇。

他在給客戶的報告中說:「這場行情的根基已變得極不穩固。」

Klein提到,博通(Broadcom)(AVGO-US)執行長陳福陽(Hock Tan)周一將AI交易比喻為賭場,並表示投資人並未充分了解自己投資的標的,這番言論也加深市場對AI投資熱潮的疑慮。

但在Klein看來,目前晶片股面臨的賣壓,反而有助於降低風險,能讓投資人以較低的風險部位迎接艾司摩爾(ASML-US)與台積電(TSM-US)(2330-TW)即將公布的財報。

長江存儲NAND出貨量躍居全球第三

另一方面,根據Counterpoint Research,中國記憶體製造商長江存儲(YMTC)正籌備在中國上市,目標是在上海證券交易所科創板掛牌。

Counterpoint Research指出,按照今年第2季出貨量,長江存儲已躍居全球NAND快閃記憶體市場第三大業者,排名僅次於三星電子與SK海力士(SK Hynix)(SKHY-US),並超越日本鎧俠控股(Kioxia Holdings)(285A-JP)及美光。

Counterpoint資深分析師Jeongku Choi在聲明中表示:「在AI帶動NAND產業超級循環之際,長江存儲已成為成長最快的供應商,即使面臨地緣政治阻力,仍審慎投資技術能力與產能。」

她並預估,長江存儲2026年營收成長速度將是整體產業其他業者的六倍。

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