AI 已經把記憶體晶片從「價格競爭」推向「產能與技術競爭」，未來真正決定產業地位的，不再是市占率，而是誰能掌握 HBM、高階 DRAM 與企業級 SSD 等關鍵記憶體供應，誰就能取得 AI 產業鏈最上游的定價權與主導權。

2026 年才過一半，記憶體晶片產業的變化幅度已經超越過去五年總和。三星電子 (KR005930) 、SK 海力士 (KR000660) 與美光科技 (MU-US) 三家公司相繼站上兆美元市值門檻，是半導體業界前所未見的紀錄。長期被視為「景氣循環股」代名詞、利潤微薄的記憶體晶片，如今搖身一變，成為整個 AI 基礎建設競賽中最搶手的戰略物資。

這場變局的核心，並非單純的價格競爭，而是一場圍繞 AI 伺服器需求、高頻寬記憶體 （HBM）產能分配、DDR5 世代轉換，以及企業級 SSD 需求重新洗牌所引發的結構性戰爭。

根據市調機構 CFM 快閃記憶體市場統計，2026 年第一季全球 DRAM 與 NAND 快閃記憶體市場總規模達 1371.4 億美元，較上季暴增 81.6%，年增率更高達 245%，寫下歷史單季新高紀錄。

分析人士指出，這樣的成長並非漸進式擴張，而是供需嚴重錯配下的斷層式爆發，原廠的議價能力在短短兩季內被徹底翻轉。

DRAM 排名：三星穩坐龍頭，長鑫握勢崛起

在 DRAM 領域，三星電子以 382 億美元營收、40.5% 市占率穩居榜首，季增幅高達 98.4%；SK 海力士以 279 億美元居次，市占率 29.6%；美光科技 187 億美元排名第三，市占 19.9%。

值得注意的是，中國大陸廠商長鑫科技 (688825-CN) 以 73 億美元營收、7.7% 市占率擠入第四名，季增幅 115.1% 為四家之最。

業界觀察指出，三星的優勢並非來自炒作性漲價，而是憑藉手機、PC、伺服器與終端業務全面覆蓋的產能規模，使其在景氣下行時仍能靠內部訂單消化風險，這是 SK 海力士與美光目前都不具備的避險能力。

相較之下，SK 海力士雖然穩居 HBM 龍頭，但也因此犧牲了傳統 DRAM 業務的擴張速度，導致其整體營收成長幅度在四大廠中敬陪末座。

真正令市場意外的，是長鑫科技的快速竄升，其全球市占率從 2025 年首季的 3%，一舉躍升至今年同期的 7.7% 至 8%，超越南亞科 (2408-TW) ，躋身全球第四大 DRAM 原廠。

這家中國唯一具備 DRAM 研發、設計、製造一體化能力的 IDM 廠商，目前在合肥、北京擁有三座 12 吋晶圆廠，並與阿里雲、字節跳動、騰訊控股 (00700-HK) 、聯想控股 (03396-HK) 、小米 (01810-HK) 等指標客戶深度綁定。

分析認為，這波成長並非低價搶單所致，而是三星、SK 海力士、美光將主力產能全面轉向 HBM 與高階伺服器記憶體後，成熟製程與消費級 DRAM 出現的市場真空，恰好被長鑫科技精準補位。

分析指出，這也帶出一個值得供應鏈決策者深思的現象。當三大廠將最先進產能全押注在 HBM 軍備競賽時，DDR3、DDR4、LPDDR，以及車用、工規等「非主流」品類，反而成為稀缺資源，讓長鑫科技、南亞科、華邦電 (2344-TW) 等廠商無需與三巨頭正面對決，便找到了新的生存空間與議價籌碼。

HBM 缺口難解 三星、美光急起直追

HBM 是這波記憶體超級循環中溢價最誇張的品類，也是輝達 (NVDA-US) 、超微半導體 (AMD-US) 等 AI 晶片廠最頭痛的瓶頸環節。

目前 SK 海力士仍以 58% 市占率穩居龍頭，但較去年同期的 69% 明顯回落；三星電子以 21% 市占緊追在後，並已首度開始向輝達供應 HBM4；美光同樣拿下 21% 市占，正尋求技術突破。

三星已交付首批 HBM4E 樣品，預計今年下半年正式對輝達大量出貨，這將是打破 SK 海力士長期壟斷格局的關鍵變數。

不過供應緊張的情況短期內恐難紓解。根據業界交流資訊，目前 HBM 市場滿足率僅約三成，配套的堆疊型 DRAM 缺口龐大。

儘管三星與 SK 海力士的五年擴產計畫聚焦 DRAM，SK 海力士月產能規劃自 60 萬片擴增至 120 萬片，三星則從 70 萬片增至 140 萬片，但業界估算記憶體位元年需求成長率已超過 20%，五年產能翻倍的步調仍顯保守，難以完全彌平供需落差。

換言之，這波短缺並非增加幾條產線就能在一兩年內解決的問題。

NAND 戰場更分散 鎧俠、SanDisk 成最大黑馬

相較於 DRAM 的四強格局，NAND 市場的競爭態勢更為分散。三星以 29% 至 31.6% 市占繼續領先，SK 海力士 18% 居次，鎧俠（Kioxia）14% 第三，美光、SanDisk (SNDKV-US) 與長江存儲則各約 13%，呈現三強鼎立。

其中，長江存儲的市占率從 2025 年首季的 8% 攀升至 13%，成長幅度居所有 NAND 廠商之冠，直接受惠於這波供需緊張帶動的漲價潮。

而這輪循環中估值重估最猛烈的，則是鎧俠與 SanDisk 兩家公司。

SanDisk 自 2025 年 2 月從威騰電子 (WDC-US) 分拆獨立上市後，擺脫了機械硬碟業務長期拖累股價的包袱，今年第一季資料中心營收年增超過六倍，企業級 SSD 一躍成為成長最快的業務線。

市調機構 Counterpoint Research 統計顯示，2026 年第一季全球 NAND 市場營收達 460 億美元，年增 3.5 倍，已超越 2023 年全年總和，其中企業級 SSD 占比高達 43%。

價格狂飆  記憶體晶片變戰略資源

比起市占率數字，價格走勢或許更能說明這波循環的瘋狂程度。

DDR5 16Gb 現貨價格從 2025 年 5 月約 5.5 美元的低點，飆升至 2026 年 5 月的 40 美元以上，漲幅超過七倍；1TB 消費級 SSD 價格則從約 45 美元翻倍至近 90 美元。

2026 年第一季，DRAM 合約價季增 90% 至 95%，NAND 合約價季增 55% 至 90%。

TrendForce 預測，2026 年第二季 DRAM 合約價將續漲 58% 至 63%，NAND 漲幅則達 70% 至 75%，部分 DRAM 產品自 2023 年低點以來累計漲幅已超過九倍，NAND 漲幅甚至更高。

研究機構 Gartner 的預測更為激進，估計 2026 全年 NAND 均價漲幅可能達 234%。

需求端方面，AI 資料中心對高容量 PCIe 5.0 企業級 SSD 的需求呈爆炸性成長，資料中心應用預估將占全球 NAND 消耗量的 60% 到 70%。

Meta(META-US) 、微軟 (MSFT-US) 、Google(GOOGL-US) 等超大規模雲端業者已透過長約與預付款方式，提前鎖定 2026 年絕大部分可用產能，部分合約甚至延伸至 2029 年。

供給端則面臨結構性瓶頸，需求年增率達 20% 至 22%，產能擴張卻僅有 15% 至 17%，缺口在結構上難以填補，新產能大規模釋出普遍要延後至 2027、2028 年之後才能實現。

鎧俠已公開表示 2026 全年產能已基本售罄，威騰電子情況類似，代表即使企業現在下單，恐怕也要排隊等到明後年才能拿到貨。

換句話說，記憶體晶片正從「隨買隨有」的標準零組件，轉變為必須提前一到三年鎖定產能的戰略資源。

誰是真正的贏家?

跳脫市占率數字，業界觀察指出一個常被忽略的視角，即這波循環真正的贏家，未必是市占率最高的廠商，而是產品結構最能穿越景氣循環的廠商。

三星雖規模最大，但家電、手機、半導體業務混雜一體，導致優質記憶體業務的利潤被低毛利板塊稀釋，這也是三星整體毛利率長期低於 SK 海力士與美光、估值也偏低的主因，因為規模最大，不等於獲利能力最強。

SK 海力士全力押注 HBM，短期營收成長雖被三星、美光超車，但一旦 HBM4 大規模放量，其獲利能力優勢可望重新展現，這是一場「是否該犧牲短期市占換取長期定價權」的豪賭。

至於鎧俠與 SanDisk，雖然享受 NAND 景氣循環的極致紅利，但歷史經驗顯示，超級循環的高點往往也是風險積聚的時刻，一旦需求成長放緩或產能恢復訊號浮現，這兩家彈性最大的公司，回檔幅度恐怕也最劇烈。

對終端客戶與供應鏈管理者而言，這場變局帶來的現實衝擊是，採購記憶體晶片已不再是單純比價的問題，而必須判斷晶片來自哪個技術節點、產品生命週期處於哪個階段，以及自己的訂單在供應商產能優先順序中排在第幾位。

分析指出，對經銷商與生態系合作夥伴來說，單純「搬箱子」式的交易撮合價值正急速萎縮，真正稀缺的能力，變成市場情報判讀、供應保障、多供應商資質認證，以及協助客戶規劃跨越兩三年週期的產能布局。

這場記憶體晶片市占爭奪戰的本質，從來不是誰的市占數字更漂亮，而是誰能定義下一代運算的成本結構。而這，才是掌握整條 AI 產業鏈最上游議價權的關鍵。這局牌，似乎才剛打到中局。