印度政府近日宣布，半導體巨頭英特爾 (INTC-US) 與美國半導體技術公司 3D Glass Solutions（3DGS）將聯手投資約 33 億美元，在印度東部奧里薩邦建立一座半導體基板製造廠。

據了解，該工廠預計在未來五至六年內完工，選址位於布巴內斯瓦爾—庫爾達地區，主要聚焦生產應用於先進封裝的玻璃基板、高密度互連基板及其他相關半導體產品。印度政府則承諾提供數十億美元級別的補貼支持，並預計將帶動超過 1800 個高技能直接就業機會。

3DGS 成立於 2005 年，2014 年後切入半導體先進封裝領域，掌握積體被動元件（IPD）與玻璃基板 3D 封裝（3DHI）等核心技術。

今年 4 月，由英特爾參與支持的封裝工廠已在印度奧里薩邦首府布巴內斯瓦爾正式動工，預計達產後年產能可達 5,000 萬個玻璃基板 3D 封裝單元。

英特爾的玻璃基板戰略不僅限於印度。據報導，英特爾計畫改造其位於美國新墨西哥州的里奧蘭喬工廠，目標打造為全球首個玻璃基板量產基地。

目前，公司已在亞利桑那州錢德勒園區建立玻璃基板試驗線，里奧蘭喬工廠則憑藉預留的擴建空間，將正式引入量產線，配套用於 EMIB 先進封裝技術。

與此同時，英特爾據報正向全球供應鏈合作夥伴大規模推進材料、零組件與設備的採購訂單，多項供應合約已簽署完成，投資規模達數兆韓元，重點聚焦於擴大 EMIB 產能及融入玻璃基板封裝方案。

全球巨頭競相跟進，2028 年恐成量產分水嶺

玻璃基板的商業化浪潮已席捲全球半導體產業。

中泰證券指出，台積電 (2330-TW) 的 CoPoS 試驗線預計今年啟動，並於 2028 年底實現量產，輝達 (NVDA-US) 可能成為首批客戶；三星電機則計畫於 2027 年量產，預估 2028 年進入快速滲透期，2026 年有望成為玻璃基板商業化的元年。

在應用端，東方證券表示，玻璃基板除了在先進封裝領域的應用逐步成熟外，亦可作為硬碟（HDD）的記錄介質。

隨著大容量儲存需求攀升，固態硬碟中採用熱輔助磁記錄（HAMR）技術的比例有望持續提升。HAMR 技術藉由新型介質磁技術縮小資料位元、提高儲存密度，但其高溫特性使得耐高溫的玻璃基板有望取代傳統鋁碟片，成為重要選擇。

國際半導體產業協會 SEMI 最新預測，隨著 AI 與高效能運算（HPC）需求持續成長，玻璃基板的初期生產可能約於 2028 年啟動，並逐步擴展至更廣泛的半導體封裝應用。

SEMI 預估，2028 年至 2040 年間，玻璃基板市場的複合年成長率將高達 67.2%。