南韓媒體 DealSite 周四 (27 日) 報導，三星與輝達的 HBM4 供應價格談判已進入最後階段。此前，SK 海力士已完成與輝達的 HBM4 供應價格談判。

三星先前供應的 12 層堆疊的 HBM3E 單價相對較低，但對於 12 層堆疊的 HBM4，目標則是跟 SK 海力士持平，維持在 500 美元中段左右，相比之前的 HBM3E 供應價格增加超過 150%。

業內人士透露，輝達在與 SK 海力士敲定明年 HBM4 供貨合約僅一周後，便邀請三星參與明年 HBM4 供應的價格談判，預計年內做出最終決定。

一位熟悉三星狀況的官員表示，三星 HBM4 主要性能包括速度優於 SK 海力士的產品，且之前供應的 12 層堆疊 HBM3E 價格低，此次希望跟輝達達成和 SK 海力士相當的價格。此前有報導指出，SK 海力士和輝達達成的明年 HBM4 供貨價格約為 500 美元中段，而 SK 海力士 12 層堆疊的 HBM3E 定價在 300 美元中段，價格上漲超 50%，即使其生產總成本增加 30%，但獲得相應溢價抵消成本。

目前，三星 HBM3E 晶片價格比 SK 海力士同類產品低約三成，此前因認證延遲，部分產品低價供應給其他公司拉低了平均單價，其 HBM3E 供應價格在 200 美元左右，此次傳出三星要求與輝達的 HBM4 供應價格和 SK 海力士一致，也就是提高到超過 500 美元，較之前提升超過 150%。

三星正利用更先進的 1c DRAM 的 HBM4 大規模生產，確保對 SK 海力士基於 1b DRAM 的 HBM4 的競爭優勢，這也是三星要求跟 SK 海力士價格相當的底氣，加上明年市場對 HBM4 需求超過供應，只有這兩家有量產供應能力，三星不願降低單價。

業內人士認為，輝達對 HBM4 需求高，三星有理由以高價確保供應，即使降價價格差異也不會大，三星在談判桌上佔據相對優勢。

為滿足市場需求，提升競爭力，三星打算 2026 年底前將 HBM4 的 1C DRAM 產能從目前每月 2 萬片晶圓，提高到每月 15 萬片晶圓。三星官員解釋，打算明年每月增加約 8 萬片晶圓，加上現有成熟製程改造，明年每月能分配約 15 萬個 1c DRAM 晶圓用於 HBM4。

去年 9 月，三星向輝達交付 HBM4 的工程樣品 (ES)，認證結果本月公佈，通過後提交量產樣品，明年初公佈最終認證結果。

業界最初預估，即便明年初通過認證並量產，出貨也要到 2026 年下半年，但隨著市場對輝達 HBM4 需求激增，一些人預測最快明年第二季就可能開始供應，這將縮小與 SK 海力士的供應差距。

不過，三星 1c DRAM 的 HBM4 標準良率僅 50%，最大挑戰是良率，而非品質，發熱問題雖存在但已顯著改善，客戶更注重速度，且其邏輯晶片採用 4 奈米流程雖有發熱，但速度和能源效率有優勢。