《路透》周二 (21 日) 援引知情人士消息報導，中國記憶體晶片製造商長鑫存儲技術有限公司 (ChangXin Memory Technologies，簡稱 CXMT) 計劃最早於明年第一季在上海證券交易所上市，估值最高可達人民幣 3,000 億元(約合 421 億美元)。

成立於 2016 年的長鑫存儲，在中國政府大力支持下成為推動本土 DRAM 產業發展的核心企業。該公司計劃透過首次公開發行 (IPO) 籌資人民幣 200 億至 400 億元(以下單位皆同)，第三名消息人士指出，目標募資規模約為 300 億元，並有望最早於 11 月向投資人公開招股說明書。

三位知情人士皆要求匿名，因為相關計畫尚未公開。他們同時強調，實際上市時間、募資金額與估值仍可能視市場需求而調整。

中國半導體股熱潮 助攻上市時機

長鑫存儲的上市消息出爐之際，中國半導體類股今年來大幅上漲，滬深半導體指數（CSI CN Semiconductor Index）年初以來已勁揚約 49%。

根據監管資料，長鑫存儲的母公司已於 7 月啟動 IPO 前的「輔導程序」，並聘請中金公司與中信建投兩家國有券商負責相關作業。

儘管官方文件並未透露具體上市地點與時程，但兩名知情人士預期，該案將吸引眾多看好中國「半導體自給自足」戰略的國內投資人踴躍認購。

該公司近年大舉投資研發高頻寬記憶體 (HBM)，以追趕南韓 SK 海力士與三星等全球領導廠商的技術腳步。HBM 是生成式 AI 運算中不可或缺的高階 DRAM，用於支援輝達(NVDA-US) 繪圖處理器 (GPU) 等高效能晶片。

美國出口限制推升戰略重要性

自美國去年 12 月限制中國取得 HBM 晶片以遏制人工智慧 (AI) 發展後，長鑫存儲的重要性更顯突出。根據加拿大研究機構 TechInsights 估計，該公司 2023 年至 2024 年的資本支出約 60 億至 70 億美元，若美方未再擴大限制，2025 年將再增約 5%。

長鑫存儲目前正在上海興建 HBM 封裝廠，目標於明年底投產，初期月產能約 3 萬片晶圓，約為 SK 海力士的五分之一。兩位知情人士指出，該公司計劃於 2026 年開始量產第四代 HBM3 晶片。

TechInsights 資深分析師 Choe Jeongdong 表示：「若長鑫存儲能於 2026 年第四季成功量產 HBM3 晶片，將採用 G4(16 奈米) 製程，但仍落後 SK 海力士約四年。」

截稿前，長鑫存儲暫未回覆媒體置評請求。