中國半導體重大突破！氧化鎵率先進入8吋時代

杭州鎵仁半導體公司在半導體領域取得了重大突破，6 日宣布推出全球首顆第四代半導體氧化鎵 8 吋單晶，成為國際上首家掌握 8 英吋單晶氧化鎵單晶生長技術的企業。

杭州鎵仁半導體成立於 2022 年 9 月，坐落於杭州市蕭山區，在氧化鎵單晶的研發上持續深耕，從 2022 年至 2024 年，依序成功生長出 2 吋、4 吋和 6 吋的氧化鎵單晶。

此次，鎵仁半導體採用完全自主創新的鑄造法成功實現 8 吋氧化鎵單晶生長，並可加工出對應尺寸的晶圓基板。這項成果，標誌著鎵仁半導體成為國際上首家掌握 8 吋氧化鎵單晶生長技術的企業，刷新了氧化鎵單晶尺寸的全球紀錄，也創造了從 2 吋到 8 吋，每年升級一個尺寸的行業記錄。

鎵仁半導體指出，中國氧化鎵率先進入 8 吋時代，具有深遠的產業意義。首先，8 吋氧化鎵能夠與現有矽基晶片廠的 8 吋產線相容，這將會顯著加快其產業化應用的步伐。

其次，氧化鎵基板尺寸增大可提升其利用率，降低生產成本，提升生產效率；最後，中國突破 8 吋技術壁壘，不僅標誌著中國在超寬禁帶半導體領域的技術進步，更為中國氧化鎵產業在全球範圍內佔有率競爭格局中佔優勢地位。

據悉，氧化鎵，特別是β-Ga2O3，作為一種新興的第四代半導體材料，其禁帶寬度達到了 4.85eV，遠超碳化矽和氮化鎵。氧化鎵還具備出色的熱和化學穩定性，以及極高的擊穿電場強度，這些特性使得它在半導體材料中獨樹一格。

基於氧化鎵的功率元件能夠展現出極小的電阻和卓越的轉換效率，這對於提升新能源汽車的平台電壓至 1200V 具有重要意義。

同時，氧化鎵材料在紫外線波段的表現同樣令人矚目，其紫外線截止邊達到 260nm，且紫外線波段的透過率受載子濃度的影響較小，這為製造深紫外線波段的光電器件提供了理想的選擇。