美光科技 (MU-US) 26 日宣布已成功向客戶供應第六代 10 奈米級 DRAM 樣品，反超韓國三星與 SK 海力士，打破原有的市場格局。

美光表示，將於 3 月 25 日正式推出基於全新 1γ（1-gamma）製程技術的 16Gb DDR5 記憶體，這是美光首次採用極紫外光（EUV）曝光技術。

新記憶體不僅比前代產品具備更高效能、功耗更低，製造成本有望進一步下降。此外，美光表示，其 1γ 製程技術（第六代 10nm 級節點）未來將應用於其他 DRAM 產品。

美光表示，1γ DRAM 是美光繼領先業界的 1α（1-alpha）和 1β（1-beta）DRAM 製程節點之後，再次樹立的重大里程碑，並將有效賦能雲端、工業與商業消費端及邊緣 AI 設備（如 AI PC、智慧型手機及汽車等）等未來運算平台。

美光科技執行副總裁暨技術和產品執行長 Scott DeBoer 強調，美光運用其開發專有 DRAM 技術的專業知識，搭配 EUV 微影技術的策略性運用，形成頂尖 1γ記憶體的強大產品組合，以推動 AI 產業生態系統向前邁進。

在半導體產業的激烈競爭中，美光率先量產第六代 DRAM 晶片的消息，一時間引發業界關注。這項突破性的進展，不僅展現了美光在技術研發上的強大實力，也為其在未來的市場競爭中贏得了先發。

一直以來，三星和 SK 海力士在 DRAM 市場中佔有重要地位，而美光此次成功突圍，率先推出第六代 DRAM 晶片，或將打破原有的市場格局。