據《韓聯社》報導，業內消息人士周四 (4 日) 表示，三星電子新成立了一個專門開發高頻寬記憶體 (HBM) 的部門，以重新奪回人工智慧半導體市場的領導地位。

消息人士稱，新的 HBM 開發團隊是該公司半導體部門組織改革的一部分，旨在鞏固研發職能並加強研究工作，高效能 DRAM 設計專家副總裁 Sohn Young-soo 將領導團隊。

這次重整是副會長 Sohn Young-soo5 月下旬上任以來的首次重整，HBM 團隊將專注於下一代 HBM4 產品以及 HBM3 和 HBM3E 的研發。

此舉凸顯了三星致力於加強其 HBM 研發結構的承諾，HBM 是一種需求量很大的高效能 DRAM，特別是對於 Nvidia 的圖形處理單元，這是人工智慧運算的關鍵。

三星電子已開發出業界領先的 12 層 HBM3E 產品，目前正在接受 Nvidia(NVDA-US) 的品質測試，但這項產品的市場一直由其競爭對手 SK 海力士以其最新的 HBM3E 領先。

為了鞏固自己的地位，三星電子還重組了其先進封裝團隊和設備技術實驗室，以增強其整體技術競爭力。

該公司最近用 Jun 取代了半導體業務主管，並開始招募 800 多個職位，其中包括開發和驗證下一代 DRAM 解決方案控制器的職位。

過去幾年，三星電子的晶片業務一直受困於銷售低迷，去年營業虧損超過 15 兆韓元 (110 億美元)。從 2022 年第四季到 2023 年第四季度，該公司連續五季出現營運虧損。

然而，由於記憶體晶片價格上漲，2024 年第一季晶片業務反彈，實現營業利潤 1.91 兆韓元，銷售額 23.1 兆韓元。