〈英特磊法說〉磊晶產品線擁多項成長動能 持續洽談MBE機台委託案

三五族群英特磊 IET-KY(4971-TW) 今 (9) 日召開法說會，董事長高永中指出，各磊晶產品線目前都擁多項成長動能，此外，客戶對三五族 MBE 機台及設計表示高度認可，持續洽談機台訂製委託案。 

高永中說明，銻化鎵方面，美國國防相關銻化鎵紅外磊晶晶片需求持續成長，國外銻化鎵磊晶片需求也同步增加，對此，英特磊已經增設銻化鎵第 3 台磊晶機台，第一季已投產。另外，英特磊也取得美國中小企業創新研發 (SBIR) 二期國防合約，為期 18 個月，將在第三季開始按季請款並貢獻營收。 

高永中認為，整體而言，銻化鎵紅外磊晶片市場成長快速，且因新機台加入製造，目前交貨期已經縮短，預期 2024 年銻化鎵磊晶片營收成長，將超過其他磊晶產品。 

氮化鎵部分，高永中指出，氮化鎵二次長晶品質一致性客戶回饋滿意，訂單增加。多家氮化鎵二次長晶客戶詢問出貨、安裝，操作氮化鎵二次生長機台價格與交貨期，英特磊都將持續開拓商機。 

至於下一階段 300mm 機台時程，高永中則表示，目前暫時放緩。此外，先前傳出矽基氮化鎵二次生長有 8 至 12 吋客戶有望打入手機供應鏈，營銷副總靳宗培回應，目前沒有新的進度。 

磷化銦方面，高永中表示，磷化銦 HBT 與 APD 仍是主力，PIN 主要客戶下單開始認證 6 吋晶片，同時討論恢復 3 吋晶片供應及存貨購買流程。至於砷化鎵，高永中提到，今年銷售主力為 pHEMT 產品，目前觀察老牌大廠訂單與國防大廠高端訂單均回升，英特磊聚焦良率與交貨期。 

高永中也提到，MBE 機台銷售目前磋商中，包括小型、大型與特殊型，英特磊皆已投入人力與資源做好準備，目前已完成特殊機台零期設計大綱，且已提交客戶。同時，新廠增建工程已經開始，預計 2025 年初完成。