全球半導體產業正逐步走出低谷，隨著市況回溫，美台韓晶片大廠開始為下一輪上行週期做準備，同時產業鏈也正在重建，在各國政府大手筆補貼下，晶片大廠紛紛啟動新一輪建廠行動，加大佈局搶佔市場。

在需求緩慢恢復以及價格觸及反彈的推動下，全球三大儲存晶片廠最新一季的財報都傳來喜訊，三星公佈的財測數字顯示今年第一季營收年增 11% 至約 71 兆韓元，營業利潤更大幅年增 931% 至 6.6 兆韓元左右，創 2022 年第三季以來的最高紀錄。

美光也結束連 5 季虧損，2 月為止的第二季營收年增 58% 至 58.2 億美元，季增率亦達 23%，淨利轉虧為盈至 7.93 億美元，因 DRAM 及 NAND Flash 需求及物價同步上升，SK 海力士業績更早在去年第四季回升，營收年增 47.4% 至 11.3 兆韓元，超過市場最高預期，營業利潤 3460 億韓元，結束自 2022 年第四季以來持續的營業虧損。

業績回升之際，美韓廠商也逐漸恢復產能供給，並在 AI 浪潮推動下積極推動 HBM 擴產，三星據悉今年首季在南韓平澤跟中國西安 NAND Flash 快閃記憶體生產線的晶圓投片量，相較上一季將提升約 30% 但對進一步增產仍謹慎以對，希望避免影響 NAND Flash 的價格漲勢，鎧俠跟西部數據上月則率先將產能利用率恢復至近九成，可望帶動今年 NAND Flash 產業供給位元年增率達 10.9%。

在 DRAM 方面，根據市場研究機構 Omdia 報告，三星將今年次季平均每月投片量調升至 60 萬片，月增率 13%，下半年料將增至 66 萬片，DRAM 產量恢復到減產前水準；SK 海力士投片量也逐漸恢復，第二季每月平均投片量從第一季 39 萬片增至 41 萬片，下半年預計該公司的 DRAM 晶圓投入量將增加至 45 萬片，

至於 HBM 方面，南韓廠商擴產則超過預期，三星高層在「Memcon 2024」全球半導體大會上表示，該公司今年 HBM 晶片產量將比去年增加 2.9 倍，高於年初預測的 2.4 倍，在 AI 浪潮帶動下，高效能記憶體需求猛漲。

作為 HBM 技術領先者的 SK 海力士也在加碼高效能記憶體的投資，月初宣布打算砸下 38.7 億美元在美國建造記憶體先進封裝生產基地，預計在 2028 年下半年開始量產新一代 HBM 等適用於 AI 的記憶體產品。

多家產業協會和市場分析機構認為，今年全球半導體市場將迎來週期性回升，美國半導體產業協會 (SIA) 預測今年全球半導體產業銷售額將成長 13.1%，IDC 則預計今年市場回歸成長趨勢，年增率將在 20% 以上，市場規模達 6302 億美元，其中儲存晶片市場成長將最強勁。

此外，晶片大廠也在美國瘋狂建廠，除產業回暖因素外，這波建廠潮另一個有力推手是政府補貼，半導體產業「逆全球化」正因地緣政治影響而加劇，在地化生產成為各國政府半導體政策的重要方向，目前美日印歐等地都在釋放優惠政策吸引晶片巨頭投資，其中在美國《晶片法案》527 億美元補貼推動下，晶片大廠紛紛擴大在當地佈局。

今年 2 月中，美國商務部宣布將提供約 15 億美元來支持 Globalfoundries 新建最先進設施、大幅產能擴張以及對工廠進行現代化改造，以增強美國在當前一代和成熟節點半導體生產方面的競爭力。Globalfoundries 將分別在紐約州新建最先進的 12 吋晶圓廠，該廠預計將生產美國目前尚不具備的高價值技術，並擴建當地現有製造工廠，以及振興佛蒙特州現有製造工廠，使其成為美國第一家能大量生產下一代 GaN 矽晶片的工廠，該晶片廣泛應用於電動車、電網和智慧手機。

英特爾也在上月獲得 85 億美元資金補助，將用在美國四個州的多個半導體工廠建設，未來五年英特爾也將在這四州的投資逾 1 千億美元，而美國商務部 4 月 8 日也宣布提供 66 億美元補貼支持台積電在亞利桑那州興建三座晶圓廠，其中一座為新廠，台積電在該州投資金額將增至 650 億美元。三星在周一 (15 日) 也獲美國 64 億美元資助擴大在德州生產晶片，三星也將在此基礎上追加超過 400 億美元的投資來擴大現有的德州工廠，擴大 FD-SOI（全耗盡型絕緣體上矽）製程產能。
 
美國商務部表示，受惠於三星與台積電等在美投資案，到 2030 年，美國可望生產全球約 20% 的尖端晶片。