南韓晶片大廠 SK 海力士 (SK Hynix) 今(19) 日宣布，在去年 8 月宣布開發超高性能 DRAM 新產品 HBM3E 後，僅花費 7 個月的時間便已成功量產，並將自 3 月底開始出貨。

HBM（高頻寬記憶體）：垂直連接多個 DRAM，與 DRAM 相比顯著提升資料處理速度的高附加價值、高效能產品。 HBM DRAM 產品以 HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的順序開發。 HBM3E 是 HBM3 的擴充（Extended）版本。

該公司表示， HBM3E 成功量產，有利鞏固其用於 AI 的存儲器市場上 的競爭優勢。

為了創造快速處理大量數據的 AI 系統，半導體封裝必須以多重聯結（Multi-connection）多個 AI 處理器和記憶體的方式來建構。近期全球科技公司大力投資 AI，對 AI 晶片性能的要求也越來越高，SK 海力士堅信，HBM3E 是當前對應這些要求的最佳產品，因其不僅滿足了用於 AI 的記憶體必備的速度規格，也在發熱控制等所有方面都達到了全球最高水準。

速度方面，HBM3E 最高每秒可處理 1.18TB 的數據，其相當於在 1 秒內可處理 230 部全高清（Full-HD，FHD）級電影。

由於用於 AI 的記憶體運作極快，因此散熱能力成一大關鍵。HBM3E 在散熱控制方面，適用 Advanced MR-MUF 最新技術，散熱性能較前一代提升 10%。

SK 海力士 HBM 業務副總裁柳成洙表示，海力士 HBM3E 全球首次投入量產，進一步強化用於 AI 的存儲器業界的產品線，「以累積至今的 HBM 業務成功經驗為基礎，海力士與客戶的關係將更加紮實，且鞏固公司身為全方位 AI 儲存器供應商的地位。」