半導體產業的競爭日益激烈，英特爾 (INTC-US) 高層近日表示，明年公司將生產 2 奈米晶片，若果真實現，那麼英特爾將在 2 奈米的競爭中領先台積電 (2330-TW)(TSM-US) 數年。

在先前製程的推進上，英特爾多年來一直落後於台積電。 為了扭轉這種局面，執行長 Pat Gelsinger 在 2021 年重返公司時，制定了積極的捲土重來戰略。其 IDM 2.0 戰略包括在四年內經歷五個節點，理論上這將讓公司超越所有競爭對手，再次登上半導體製造的頂峰。

英特爾技術開發首席副總裁 Sanjay Natarajan 近日表示，「我們將在 2024 年進入量產 [其 2 奈米製程]，英特爾將再次引領小型化。」 這是該公司的一個大膽主張，但也意味著它仍然堅持其路線圖。

據報導，英特爾採用的 20A 製程，預計將採用全新的 RibbonFET 電晶體，該電晶體將取代現有的 FinFET 架構並提供新的互連創新，其中一項稱為 PowerVia。 Arrow Lake 將成為使用 20A 製程的最大產品系列之一

如果它確實在 2024 年開始生產 2 奈米晶片，理論上該公司將處於該行業的前沿，因為台積電明年將剛開始憑藉其最新的 3 奈米製程邁出步伐。 此外，台積電預計要到 2025 年才會開始 2 奈米生產，不過也有傳言稱可能會推遲到 2026 年。

三星也參與了這場競爭，並且已經表示預計將於 2025 年開始 2 奈米生產，這意味著英特爾也可能擊敗這家南韓晶片製造商。 

英特爾在其半導體製造上，近年來在行業採用方面並沒有取得太大成功，但情況似乎正在發生變化，特別是隨著人工智慧的湧入，市場正在不斷發展。