全球第二大記憶體供應商 SK 海力士 (SK Hynix) 上季虧損收斂，營收減幅也較前兩季改善，明年還將增加資本支出，為全球半導體市場復甦的又一跡象。

SK 海力士周四 (26 日) 公布，第三季營業虧損為 1.8 兆韓元 (約 13.3 億美元)，雖連續四季虧損，但已明顯較前兩季改善。該公司第一季和第二季分別虧損 3.4 兆韓元和 2.9 兆韓元。

此外，上季營收為 9.1 兆韓元，年減 18%，營收降幅也較前兩季的下滑 47% 和 58% 改善。

儘管如此，周四韓股開盤後，SK 海力士仍挫跌 4.3%，創一個多月來最大盤中跌幅。截稿前跌幅逾 3%。

智慧手機和個人電腦 (PC) 需求下滑，令兩大記憶體巨頭三星電子和 SK 海力士陷入低潮。三星本月稍早公布初步業績，獲利降幅較前一季緩和，消息令股價獲得提振，該公司將在 10 月 31 日公布完整的第三季財報。

SK 海力士表示，用於電子設備的 DRAM 晶片業務已終止連兩季虧損的態勢，在第三季恢復獲利。聲明指出：「DRAM 業務預料將隨著生成式 AI 的蓬勃發展持續改善，還在虧損中的 NAND Flash 記憶體業務，也出現改善跡象。」

分析師此前預估，NAND Flash 記憶體業務虧損可能在第三季達到約 2 兆韓元。DRAM 收入約占 SK 海力士上季總營收的三分之二，NAND 收入占比僅略高於 25%。

該公司表示，客戶下新訂單與晶片價格趨穩，顯示減產計畫已開始發揮效果。

SK 海力士 (000660-KR) 今年至今累計已漲 70%，遠優於三星電子的 23%，且市值飆至 1 兆美元。與輝達在高頻寬記憶體 (HBM) 方面的合作交易，是 SK 海力士獲得青睞的原因之一。

SK 海力士也宣布明年將增加資本支出，但為了確保效率且避免擾亂市場，增幅會被限制到最小，公司也將優先考慮 HBM 和其他戰略產品支出。