在美中科技戰的背景之下，華為將投資重點之一，放在第三代半導體材料。這一方向有助於中國參與國際競爭的腳步，但並不能完全解決中國在美國禁令之下，半導體發展受限的問題。

第三代半導體主要是由碳化矽和氮化鎵等材料制成的晶片組，被廣泛用於第五代射頻晶片、軍用雷達和電動汽車中。

由於現在還沒有哪個國家能在新興的第三代技術中占主導地位，因此，中國企業認為，如果研究腳步加快，就有望參與國際上的競爭。

「第三代」半導體無迭代關係

11 月 15 日，華為投資的北京天科合達宣佈成功研製出「8 英寸碳化矽襯底」，這項號稱第三代半導體行業中技術難度最高的襯底產品，此前僅有英飛淩、Wolfspeed、意法半導體等少數公司能夠掌握。

業者指出，第三代半導體是為了方便發展，所創造的名詞，與一、二代半導體之間不存在迭代關係，其應用場景也完全不同。

所謂幾代半導體，是以襯底材料作為區分標準。日常生活中接觸到形態各異的晶片，是由晶圓切割後封裝而成，而晶圓製備包括襯底、外延兩大工藝環節，可以簡單地理解成襯底是加工一切晶片的基礎。

傳統意義上，矽基半導體被視為第一代半導體，目前人類社會中 95% 以上的晶片使用的材料仍然是單晶矽，由於材料價格便宜，且產業鏈十分成熟，短期內矽基半導體的占比不會發生太大變化。

第二代半導體則是由砷化鎵、磷化銦材料為代表，這類化合物半導體具有高頻、抗輻射等特性，因此被應用在國防、航空航太、衛星通訊等領域。

目前主要用於新能源汽車

第三代半導體的最大優勢在於節能，主要應用場景集中在 5G 基站、高鐵、太陽能逆變器等領域，目前最被人熟知的應用，則在新能源汽車。

特斯拉是這個應用上，「第一個吃螃蟹」的企業。

中信證券曾在拆解特斯拉 Model 3 的研報中提到，Model 3 採用 48 顆 SiC MOSFET 替代了 84 顆 IGBT（絕緣柵雙極型電晶體），使體積、功耗大幅減小，為全車增加了續航這一里程碑式的創新迅速在新能源廠商中傳播，一把火點燃了中國的第三代半導體行業。

「特斯拉助推了中國第三代半導體在新能源汽車上的發展。」一位從事多年半導體投資的投資人表示。

華為投注的資本已在減少

不過，目前中國發展第三代半導體產業最顯著的特點是，幾乎完全是民間資本在驅動，官方少有介入。

業者表示，現階段第三代半導體產業的發展水準，可能還無法滿足華為造車的需求，因此華為暫時停止了對產業的投資。

此外，新能源相關行業的出現雖然為第三代半導體產業創造了崛起的條件，哈勃投資等產業基金的強勢進場緊接著又助推了一把，但無論是產業規模還是核心競爭力，中國與國際巨頭相比仍有不小的差距。