據南韓媒體 BusinessKorea 今 (17) 日報導，三星電子今年將發表 236 層 NAND  Flash 快閃記憶體產品，並將在本月成立新的研發中心，負責開發更先進的 NAND Flash 產品。

記憶體廠持續增加 NAND Flash 堆疊層數，追求更高效能。美光科技首先宣布開發全球首款 232 層堆疊 NAND Flash，SK 海力士最近也宣布完成 238 層堆疊產品開發，中國長江存儲則完成 232 層堆疊 NAND Flash 開發。

SK 海力士表示， 238 層 NAND Flash 預計明年上半年開始大規模量產，238 層 NAND 晶片的傳輸數據速度提升 50%，數據消耗的能量降低 21%，比美光近期推出的 232 層 NAND 晶片堆疊層數更高。

這使得龍頭三星目前面臨追趕壓力，三星目前 NAND Flash 市占率 35% ，層數記錄僅為 176 層。

不過，近期記憶體市況低迷，記憶體大廠美光 (MU-US) 近期坦言，受客戶去化庫存影響，下修本季營收預估，並示警在位元出貨量減少下，下季營收、毛利率都將顯著下滑。