美國參議院針對縮減版晶片法案舉行的程序性表決在周二 (19 日) 過關，為撥款 520 億美元補貼半導體業啟動立法辯論，最快下周交付全院表決。

參院周二以 64 票對 34 票的的明顯差距通過程序投票，讓這個號稱攸關國家安全但延宕一年多的法案跨過重要里程碑，不過，法案細節仍在研議中。

這項立法行動除了將補助半導體業者在美國設廠，還研擬為半導體和半導體設備製造提供 25% 投資租稅抵減、撥款 5 億美元用於國際安全通訊計畫、2 億美元用於員工訓練、15 億美元投入公共無線供應鏈創新。

法案也加入共和黨參議院 Todd Young 及民主黨參議員 Kyrsten Sinema 的提案，即在美國國家科學基金會 (NSF) 成立科技和創新局，以支持基礎和應用研究，並鼓勵科學、科技、工程和數學教育。

法案下周若能在參院全院表決過關，仍需經眾議院表決通過。眾院多數黨領袖 Steny Hoyer 已經表示，儘管有部分民主黨人希望範圍更廣的法案，但眾院民主黨人將支持參院版本。

英特爾 (INTC-US) 和半導體產業協會 (SIA) 希望透過遊說調整法案部分內容，以便在中國生產較先進的晶片。目前的法規措辭禁止投資中國 28 奈米以下晶片廠，但中國一些工廠已能生產 16 奈米晶片。

格芯：晶片法案牽動紐約設廠計畫

晶片法案卡關至今，導致多項潛在的投資案懸而未決，半導體業者紛紛警告投資計畫可能生變。英特爾上個月便以國會不支持為由，延後俄亥俄州晶片廠的動工典禮。

格芯 (GFS-US) 成為最新一家威脅延後投資的半導體商。該公司周二表示，如果晶片法案未來幾周無法通過，在紐約州北部附近設立半導體工廠的計畫也將延後。

格芯去年宣布在紐約總部附近設立第二座工廠，但不曾提過新廠的時間表或預估花費。

格芯執行長 Tom Caulfield 說：「為了盡快完成設廠，需要政府和我們一同投資。」

格芯本月稍早宣布與意法半導體 (STMircoelectronics)(STM-US) 合作，斥資 57 億美元在法國設廠，預定 2026 年開始營運。

對此 Caulfield 說表示，法國廠計畫今年初才開始洽談，但因為法國政府爽快撥款，計畫很快就成形。假如美國去年提出法案沒多久就通過立法，紐約廠的進展會更快，格芯的注意力不會轉移到法國以及花心思擴大新加坡廠房。