韓媒《BusinessKorea》週三 (29 日) 報導，三星電子將於 6 月 30 日開始率先量產環繞閘極技術 (GAA) 架構的 3 奈米製程。

該報導指出，三星將於本週四宣布開始大規模生產 3 奈米晶片，率先量產環繞閘極技術 (GAA) 架構的 3 奈米製程，期許透過押寶的新世代製程，一舉超越台積電，取得市佔領先地位。

三星押寶的 GAA 技術為新世代製程，能以更小的體積實現更好的功耗表現，可將晶片面積減少多達 45%，同時性能提高 30%，功耗降低 50%，將為晶片業帶來另一次重大設計轉折。

如果消息為真，三星將搶先台積電和英特爾量產 3 奈米晶片，台積電計劃下半年才開始量產 3 奈米晶片，英特爾則預計明年下半年才開始。

韓媒指出，外界認為三星可能會因為低良率問題而推遲 3 奈米量產時程，然而，這些擔憂被證明是毫無根據的。南韓知名晶片分析師、HMC 投資證券公司研究中心主管 Greg Roh 透露，三星 3 奈米製程良率提升速度遠優市場預期。

不過也有市場分析師認為，三星率先量產 3 奈米晶片的宣傳效果大於實際，因為電晶體數量來說，三星的 3 奈米製程其實就是台積電 5 奈米。

截稿前，台北時間週三上午 11 時 30 分許，三星 (005930-KR) 週三下跌 1.85%，台積電 (2330-TW) 下跌 0.70%。