〈觀察〉兆易創新擴大投入DDR3 二因素撐腰台廠不受波動
兆易創新今年來積極切入 DRAM 領域,明年更將進一步擴大 DDR3、DDR4 在長鑫存儲的投片量,在紅色供應鏈大舉來襲下,市場憂心恐干擾明年利基型 DDR3 記憶體市況,不過,業者認為,受限專利認證、資安等疑慮,即便明年兆易創新相關產能增加,對整體市場也不會有太大影響。
三星為擴大投入 CMOS 影像感測器,以分食大廠 SONY 的市占率,已通知 4G DDR3 客戶,明年不再生產 DDR3;在三星淡出市場下,有助 DDR3 價格穩定,市場供給缺口也再度出現。
鈺創 (5351-TW) 認為,記憶體需求並未降溫,且在市場供給轉緊下,根本沒有降價空間,看好明年第一季或第二季,利基型 DRAM 可能又會缺貨;晶豪科 (3006-TW) 也預期,隨著 5G、物聯網等應用持續增加,明年利基型 DRAM 供需仍將吃緊,不會有跌價壓力,第二季甚至有機會全面漲價。
就在市場對明年 DDR3 記憶體前景一片看好之際,傳出兆易創新將擴大投入 DDR3 領域,加入分食市場份額,為利基型 DRAM 市況再掀波瀾。
兆易創新主力產品為 MCU、NOR Flash 及感測器等,去年起開始銷售 DRAM,與長鑫存儲緊密合作,今年 6 月更推出首款自有品牌 DRAM 產品。
從今年前 11 月來看,兆易創新自有品牌 DRAM 交由長鑫代工金額僅 0.3 億美元,但兆易創新表示,隨著公司不斷推出自研 DRAM 新品,由長鑫存儲代工的 DDR3、DDR4 金額將大幅增加,預估明年相關金額將拉升至 1.35 億美元。
市場原先樂觀看待明年利基型 DRAM 市況,但在紅鏈來襲下,市場開始憂心恐干擾明年 DDR3 價格走勢。不過,包括南亞科 (2408-TW)、華邦電 (2344-TW) 等台廠同聲認為,專利認證、資安疑慮等議題,仍是阻撓中國 DRAM 廠取得國外訂單的最大痛點。
業者認為,相關 DRAM 產品會優先銷往對品質標準較低的消費性市場,或部份不須太嚴格認證的低階市場,以中國國內自有需求為主,要銷往海外有一定的難度,對整個市場沒有太大影響。