周二 (12 日) 三星宣布已開始量產極紫外光 (EUV) 製程技術的 14 奈米 DRAM。根據最新 DDR5 標準顯示，三星的 14 奈米 DRAM 將開創過去產品所未有的傳輸速度：高達 7.2Gbps，比 DDR4 的 3.2Gbps 快超過兩倍。

三星表示，與上一代產品相比，每片晶圓的產能提高 20%，不過與前一代相比，每個晶片的功耗也能改善約 20%。

這款 EUV 製程技術的 14 奈米 DRAM，繼去年 3 月三星推出首款 EUV DRAM 後，又將 EUV 層數增加至 5 層，為 DDR5 解決方案提供更為優質、先進的 DRAM 工藝。

三星高級副總裁兼 DRAM 產品與技術主管 Jooyoung Lee 表示，三星正透過多層 EUV 技術，樹立一個新的里程碑，實現更加微型化的 14 奈米工藝，而這也是傳統氟化氬 (ArF) 製程無法做到的。

在此基礎上，三星將繼續提供極具差異化的記憶體解決方案，充分滿足 5G、AI 和元宇宙等數據驅動時代，對更高性能和更大容量的需求。

三星提到還會持續使用 EUV 技術到更多層的 14 奈米 DRAM 上，以保持自身在記憶體產業的領導地位。

三星計劃擴展其 14 奈米 DDR5 的產品組合，以支援資料中心、超級電腦和企業伺服器的應用。此外，三星預計將 14 奈米 DRAM 晶片容量提升至 24Gb，以滿足全球 IT 系統快速成長的數據需求。