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中碳SiC布局報捷 高純碳粉獲太極與矽晶圓廠導入

鉅亨網記者林薏茹 台北

隨著各國政府積極佈局第三代半導體領域,在政府要打造國家隊號召下,中碳 (1723-TW) 身為國內碳材料供應商,在關鍵材料上扮演重要角色,相關布局已有所斬獲,其中高純碳粉純度已達標、獲太極 (4934-TW) 與國內某大矽晶圓廠導入,高純度石墨坩堝也在認證中,兩產品線明年下半年可望放量生產。

中碳除與鴻海 (2317-TW) 在電動車動力電池製程上合作,提供高性能電池負極材料介相石墨碳微球外,因應電動車、5G 設備、太陽能光電發展,帶動高功率元件對 SiC(碳化矽) 的需求,將建置全台第一座鹵素純化爐,開發 SiC 長晶原料所需的高純碳粉及高純度長晶石墨坩堝等產品,預計明年 8 月底完成設備建置。

石墨坩堝因具良好的熱導性、耐高溫性及化學穩定性,被廣泛應用冶金、玻璃模具等領域,也可應用在半導體長晶製程;但與冶金等工業應用不同,為確保晶柱品質,只要長晶過程中有一點雜質,就會報廢,因此 SiC 長晶需要高純度石墨坩堝、純度需求高達 99.999%。

過去國內半導體長晶用石墨坩堝均從日本進口,由 Toyo Tanso、SGL Carbon 等日廠供應;而政府有意打造化合物半導體國家隊,聚焦關鍵材料及設備自製,如長晶設備、磊晶製程材料、高頻高功率封裝材料等,今年要求中碳進一步強化石墨坩堝產品純度,以建立高純度石墨坩堝在地供應鏈。

除長晶製程端的設備外,中碳身為國內碳材料供應商,也從原料碳粉切入碳化矽布局,SiC 原料粉生產過程須高純度碳粉與矽粉進行化學反應,而國內缺乏高純度碳材料所需的純化製程,導致台廠碳粉材料也須仰賴進口,中碳已順利生產 99.999% 的高純碳粉,出貨給太極與另一家矽晶圓廠客戶。

在鹵素純化爐建置完成後,中碳高純碳粉、高純度石墨坩堝兩大產品線,明年下半年可望量產、貢獻營收,在第三代半導體國家隊扮演關鍵角色,同時大啖 SiC 商機。

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