意法半導體 (STM-US) 今 (11) 日宣布，瑞典 Norrköping 工廠已製造出首批 8 吋碳化矽 (SiC) 晶圓，預計將用於生產下一代功率半導體，且此次將尺寸升級到 8 吋，也象徵意法針對汽車與工業客戶的擴產計畫，獲得重要階段性成就。

意法半導體指出，此次量產 8 吋 SiC 晶圓，將鞏固公司在此技術領域的領導地位，也提升功率半導體的輕量化與效能，並降低客戶使用 SiC 產品的成本。

意法半導體表示，首批 8 吋 SiC 晶圓品質優良，晶片良率和晶體位元錯誤缺陷低，此外，意法半導體除了 SiC 晶圓可滿足嚴格品質標準外，升級至 8 吋晶圓也需要製造設備和支援生態系統同時升級，正與供應鏈上下游廠商合作研發專屬的製造設備和生產製程。

意法半導體補充，碳化矽 STPOWER SiC 目前由義大利卡塔尼亞和新加坡宏茂橋兩家 6 吋晶圓廠完成前段製程製造，後段製程製造則在中國深圳和摩洛哥布斯庫拉的兩家封測廠進行。

意法半導體強調，此次階段性的成功只是 8 吋 SiC 量產計畫的一部分，目前也正積極新建碳化矽基板廠，預計 2024 年內部採購碳化矽基板比重將超過 40%。

意法半導體汽車和離散元件產品部總裁 Marco Monti 表示，汽車和工業市場正加速推動系統和產品電氣化的進程，升級至 8 吋 SiC 晶圓將為汽車和工業客戶帶來巨大優勢，因此擴大產能、提升規模經濟效益至關重要，也能更有效控制晶圓良率和改善品質。