DRAM 廠南亞科 (2408-TW) 今 (20) 日宣布，將在新北市泰山南林科技園區興建一座雙層無塵室的 12 吋先進晶圓廠，採用自主研發的 10 奈米製程技術，規劃建置 EUV 極紫外光微影生產技術，月產能約 4.5 萬片，計畫今年底動工、2024 年開始第一階段 1.5 萬片量產，總投資額達新台幣 3000 億元。

南亞科董事長吳嘉昭表示，此座先進晶圓廠將以 7 年分三階段投資，計畫 2021 年底動工，2023 年底完工開始試產，並於 2024 年開始第一階段量產，產出顆粒數將較現有產能增加；新廠預計可提供 2000 個工作機會，創造上中下游千億元以上產值，並間接創造產業鏈數千個就業機會。

吳嘉昭強調，此次投資興建的新廠，是台灣首個自主研發 10 奈米級的生產工廠，南亞科過去歷經產業不景氣、同業整併等艱困挑戰，目前為 DRAM 市場關鍵供應商，現在並全力發展 LPDD5，盼透過先進製程研發能力，為台灣 DRAM 產業能更健康穩固。

南亞科總經理李培瑛表示，近年來更積極導入人工智慧技術，加速 10 奈米級技術及產品的自主創新研發，2020 年成功開發出 10 奈米級 DRAM 記憶胞技術，並規劃今年導入量產，未來可生產 DDR5、LPDDR5 及 16Gb 高容量等 DRAM 產品，以因應未來 5G 與智慧世代發展。